等离子工艺监控仪

在等离子体应用的工艺过程中,HORIBA专注提供在线实时监测系统。我们有两种适用产品。光发射光谱学蚀刻终点监测仪对应检测等离子蚀刻的终点。实时干涉过程监测仪对于检测蚀刻以及镀膜工艺中薄膜厚度,提供高精度保证。

刻蚀端点发射光谱仪

Optical Emission Spectroscopy Etching End-point Monitor EV-140C

这是一套分析放射性发光的终点监测设备,专为以等离子技术为基础的半导体薄膜制程进行终点检定或等离子条件的监控而研制。最新的数学模型技术赋予它通过捕获微弱信号的变化进行终点检定的能力。在放射性发光中捕获微弱变化的能力显著地提高了灵敏度。对于抗干扰性的改善确保了本设备在复杂环境下持续不停的生产线上获得高稳定的运行。

实时干涉工艺监测

Real Time Interferometric Process Monitor LEM-CT-670-G50

实时的干涉测量设备,提供蚀刻/镀膜制程中高精度的膜厚及蚀刻沟深度检测