残留ガス分析技術に関するIP権を取得

2005年11月29日


報道関係者 殿

米国ベンチャー企業から最先端の半導体生産プロセスが注目する“残留ガス分析技術に関するIP権(知的財産権)”を取得しました。
半導体の薄膜形成プロセスに対応する製品ラインアップを拡充します。


株式会社 堀場エステック(社長:堀場厚、本社:京都市南区上鳥羽鉾立町11-5)は、米国フェラン サイエンティフィック社(FERRAN SCIENTIFIC INC.以下フェラン社)が取得している残留ガス分析技術に関する「IP権(知的財産権)」の取得に関する契約を締結しました。
本提携により当社が世界市場で強みを持つ”流体の精密制御機器”に、半導体製造装置のウェハ薄膜形成室(真空チャンバー)内部の状態を分析する”真空分析機器”がラインアップしました。1年後に自社開発による”新型残留ガス分析計”の製品化を目指します。新型モデルは大幅に分析時間を短縮(現在の1/10を目標)し、ユーザーフレンドリーなソフトも同時にリリースする計画です。

2003年3月フェラン社が生産する”静電容量型真空計の生産、販売権”及び、”残留ガス分析計の全世界を対象とした販売権”取得に関する契約を締結しています。今回の”残留ガス分析技術に関するIP権取得”により、フェラン社が保有する”残留ガス分析技術、生産技術”に関する特許・技術情報等を当社が取得することに成りました。同社は残留ガス分析技術において、世界最小クラスの分析部構造の開発に成功しています。現在の半導体生産プロセスにおいては、薄膜形成を行うチャンバー内部の状態や薄膜成長の状態をモニタリングし、最適な手法により生産性の向上を目指したプロセス開発がおこなわれています。フェラン社から取得する技術は、半導体の微細化技術において必要不可欠なものと考え本契約を締結致しました。
今後は当社開発チームが中核となり、堀場製作所、海外関連会社のR&Dメンバーが参画するプロジェクトチームにより、フェラン社の技術を基本とした独自商品の開発に着手します。第一弾として分析時間を現モデルに比べて1/10に短縮する高速モデルと、分析結果を詳しく示し使い勝手の良いソフトの開発を行い、1年後の製品化を目指します。現製品の生産については、2006年度中に阿蘇新工場(熊本県阿蘇郡:2005年10月竣工)において量産ラインを新設する計画です。
また今回取得した残留ガス分析技術を活用して、将来的に半導体生産市場のみならず、一般産業への応用展開も計画しています。


(お問い合わせ先)
株式会社 堀場エステック 広報チーム 岩崎 宛
TEL (075)693-2311 FAX (075)693-2331