エレクトロニクス  ~GD-OESアプリケーション~

化合物半導体

rf-GD-OESによる化合物半導体の評価
最近のrf-GD-OESは、低速スパッタリング制御が可能であるパルススパッタユニット が搭載されているため、サブnmオーダーの深さ分解能を有しています。このようなGD-OESを、pulse-GD-OESと呼んだりもしますが、これを用いると、化合物半導体の量子井戸構造(MQW : Multi Quantum Well)の成膜評価などを行うことができます。

Liイオン電池

rf-GD-OESによる電池材料の評価
rf-GD-OESは原子発光を応用した分光分析法のため、水素Hなどの軽元素の分析を行うことができます。よって、リチウムLiも測定できるということで、最近ではLi電池材料の分析・評価などに応用される場合があります。

記録メディア

JY-5000RF(GD-OES)によるハードディスク測定[1]
図1にある断面TEM像のような、Al基板上にNiPメッキした後、Cr・Co磁性膜、DLC膜を施したハードディスク基板をJY-5000RF(GD-OES)で測定しました。

JY-5000RF(GD-OES)によるハードディスク測定[2]
Al基板上にNiPメッキした後、Cr・Co磁性膜、DLC膜を施したハードディスク基板を試料とし、その深さ方向定量分析をJY-5000RF(GD-OES)とSEM-EDXで行いました。

非導電性試料測定例:ガラス基板上薄膜[1]
高周波法を用いたGD-OES法では、非導電性の材料でも、迅速に深さ方向元素分析を行うことができます。ここでは、モバイルPC用ガラス基板ハードディスクの分析事例をご紹介します。