LabRAM HR-PL

InGaN LEDのPL強度イメージ

顕微フォトルミネッセンス測定装置

非破壊、非接触による、化合物半導体(ワイドギャップ半導体からナローギャップ半導体まで)のバンドギャップ評価、組成評価、欠陥評価、量子井戸の評価、不純物評価、結晶性評価などが行えます。

事業セグメント: 科学
製造会社: HORIBA Scientific

下記の特長により半導体材料評価を簡便かつ高精度に行うことが可能です。

  1. 深紫外から近赤外までの波長の複数のレーザを搭載可能
    測定対象の化合物に応じたレーザーを提案可能です。

  2. 深紫外から近赤外の広い範囲の波長領域の発光を検出可能
    2つの検出器、2種類のグレーティングが搭載可能で、UVからNIRまで広い測定レンジ(200nm〜2100nm)を高感度で測定可能

  3. アレイ検出器による高速測定が可能
    紫外・可視・近赤外の領域すべてにおいてアレイ検出器を採用でき、高速測定が可能となりウェハマッピングを短時間で取得できます。

  4. 大型ステージにより12インチウェハまで対応可能
    最大300mm大型XYステージでのマッピング測定が可能です。また高倍率対物レンズで、微小部分のマッピング評価も可能です。

  5. 豊富な低温測定オプション
    クライオスタットなどを用いて液体窒素温度、液体ヘリウム温度まで試料を冷却し測定することが可能です。

  6. フィルター交換でラマン分光測定も可能
    ラマン分光測定用フィルターに交換することでラマン分光測定が可能になります。

 LabRAM HR-PL UV-VIS-NIRLabRAM HR-PL VIS-NIR
波長範囲200~2100 nm400~2100 nm
グレーティング600 gr/mm、1800 gr/mm 標準搭載(それ以外の刻線数のグレーティングはお問い合わせください)
空間分解能水平分解能 (XY) 0.5μm 以下、Z方向分解能 1.5μm 以下(488nm 励起の場合)
レーザー搭載可能レーザー : 244nm、266nm、325nm、405nm、442nm、457nm、473nm、488nm、514nm、532nm、633nm、660nm、785nm、830nm、1064nm など
クラス3B システム(オプションCDRH レーザー安全クラス1 対応)
ファイバーポート(オプション)
レーザー自動切り替え機構(最大6 波長)(オプション)
光学顕微鏡

Olympus BX シリーズ(3メガピクセルカメラ搭載)
(オプション) 暗視野観察、偏光観察、微分干渉観察、蛍光観察
10倍、100倍対物レンズ 標準搭載(長作動レンズほか倍率はお問い合わせください)

検出器(標準搭載)空冷ペルチェCCD 1024 x 256 ピクセル    
(オプション)液体窒素冷却CCD、近赤外検出器など    
最大3 検出器まで搭載可能   
外形寸法1300 mm x 1200 mm x 480 mm[WxDxH] ※レーザー3波長の場合
質量約150 kg ※検出器、レーザー除く
電源(本体)単層AC100 ~ 240V ± 10%

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