計測／エッチング制御／薄膜分析
膜厚・膜質・結晶化率など迅速な各種成膜評価・解析が可能。セル品質管理・歩留まり向上に。
成膜された各層の膜の膜厚や膜質、結晶性を高精度に計測することにより、成膜条件の最適地を選び出し、太陽電池としての理想的な成膜形成をサポート。変換効率を安定化させ、セル品質管理を可能とします。FF-2000シリーズでは、非破壊・フルサイズ基盤に対応します。
2種類のレーザーで、SiN、SiO2、GaAs、InP、AlGaAs、GaNなどの幅広い膜種に対応。干渉式リアルタイム膜厚モニタはエッチング/成膜のプロセス中に膜厚、トレンチ深さを高精度に検出します。試料表面に当てられた単色光は薄膜の厚さや段差に応じた光路長差により干渉をおこします。干渉強度の時間変化をモニタすることで、その周期によりモニタ場所のエッチング/成膜速度を算出し、所定の膜厚、トレンチ深さでエンドポイントを決定できます。原理は比較的簡単なため安定...
GaN、AlGaN、SiO2、SiNなどの薄く、透明度の高い薄膜に適します。干渉式リアルタイム膜厚モニタはエッチング/成膜のプロセス中に膜厚、トレンチ深さを高精度に検出します。試料表面に当てられた単色光は薄膜の厚さや段差に応じた光路長差により干渉をおこします。干渉強度の時間変化をモニタすることで、その周期によりモニタ場所のエッチング/成膜速度を算出し、所定の膜厚、トレンチ深さでエンドポイントを決定できます。原理は比較的簡単なため安定度が高く、かつ複雑な多層...
プラズマを利用した半導体薄膜プロセスにおいて、エンドポイントの検出またはプラズマのコンディション管理を行うための、発光分析方式のエンドポイントモニタです。新開発のアルゴリズム“Rupture...
rf-GD-OES（GDS）分析装置は、Arプラズマにより試料をスパッタリングさせ、スパッタされた原子を原子発光させることで、元素分析を行う、迅速かつ簡単な表面分析装置・深さ方向元素分析装置として、薄膜・めっき・熱処理・表面処理・コーティングなどの研究開発・生産技術・品質管理の分野において、幅広く活用されています。高周波方式グロー放電を採用しているため、非導電性試料でも表面分析が可能です。