
干渉式リアルタイム膜厚モニタ LEM-CT-670-G50
概要
2種類のレーザーで、SiN、SiO2、GaAs、InP、AlGaAs、GaNなどの幅広い膜種に対応。
干渉式リアルタイム膜厚モニタはエッチング/成膜のプロセス中に膜厚、トレンチ深さを高精度に検出します。試料表面に当てられた単色光は薄膜の厚さや段差に応じた光路長差により干渉をおこします。干渉強度の時間変化をモニタすることで、その周期によりモニタ場所のエッチング/成膜速度を算出し、所定の膜厚、トレンチ深さでエンドポイントを決定できます。原理は比較的簡単なため安定度が高く、かつ複雑な多層膜にも対応可能です。
特長
レーザー光源、受光部、光学系からなるコンパクトな干渉計測部と照明、CCDイメージングカメラからなり、ウェハ表面の顕微観察画像により任意の場所のモニターが可能です。幅広い膜種に対応可能な可視(670nm)レーザを使用しています。
- プロセスライン組み込みに対応したソフトウェア
半導体応用における高歩留まりに対応す るシステムです。バッチ処理データーベース化による統計処理や、HORIBA半導体製造プロセスモニタ共通のリモートコントロールI/O制御、 SECSIIによるシリアルコントロールが行えるリモートコントロールボードを標準で搭載しています。 - 柔軟性を備えた、エンドポイント検出アルゴリズム
HORIBA JOVIN YVON製品独自のアラーム拡張設定機能により、特殊な信号検出、S/Nの悪い信号検出などにおいて、対応できるアルゴリズムも多数用意されており、常に拡張されています。 - 高度なリプロセッシング機能
一度採取されたデータをベースに何度もシミュレーションを行い、最適なパラメータ設定を行うことができます。またこのデータをお送り頂くことによりHORIBAで解析、最適化を行います。
センサヘッド
- CCDイメージモニタ付きカメラ
対物レンズ←→ウェハ間取り付けレンジ200mm〜800mmと幅広く対応可能。レーザーを利用していますので、スポット径は20μm〜100μmと小さ く絞ることができます。アンプ内蔵型のコンパクト設計で、データロガーなどと接続していただければカメラのみで0-10Vの出力を簡易モニターできます。
- 典型的な干渉波形
横軸は時間を示します。エッチングが進むとエッチング厚さに応じた干渉周期を生じます。1周期が得られたときのエッチング量はDp=λ(レーザー波長670nm)/2n(エッチング膜の屈折率)で表されます。
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製造会社: HORIBA
仕様
光源 | レーザーダイオード | |
|---|---|---|
光源波長 | 670nm | |
倍率 | 50倍(G50) | |
スポット径 | 20μm〜100μm | |
検出器 | Pin-Photo Diode | |
カメラ | 寸法 | 65(W)×160(H)×100(D)mm |
質量 | 1.2kg | |
コントローラ | 寸法 | 451(W)×400(H)×133(D)mm |
質量 | 10kg | |
•ステージ仕様
マニュアルX-Yステージ | ストローク:±8.0mm | |
|---|---|---|
モーターX-Yステージ | ストローク:±12.5mm | |
ステージ | マニュアル | 120(W)×120(H)×87(D)mm |
モーター | 185(W)×102(H)×185(D)mm | |
•オプション
モーターX-Yステージ、パターン認識装置
•制御系
メモリ256MB、CPU600MHz以上、RAM64MB以上、HDD30GB以上
•取付条件
ウェハ垂直方向にØ20以上の測定ビューポートが必要になります。



