GD-Profiler

개요

Serve nm order의 분석이 가능한 GDS신제품이 출시 되었습니다.
GDS(GD-OES)분석 장치는 신속하고 간단한 표면분석 깊이 방향원소분석 장치로서 도금·열처리·표면처리·코팅등의 연구 개발이나 막 품질 평가에 있어서 폭넓게 활용되어 있습니다. 고주파방식 글로우(glow) 방전을 채용하고 있기 때문에 비전기 전도성 실험자료에서도 표면분석이 가능합니다.

 GDS(GD-OES)분석 장치중 이번 새롭게 GD-Profiler2라고 하는 신제품이 시판되었습니다. GD-Profiler2에서는,저속 스패터링(sputtering)이 가능하게 되었습니다. 이전에 어려웠던 유기막의 분석이 가능하게 되고또 sever nm order의 깊이및 방향분석이 가능하게 되었습니다.

 

기능

신속한 표면분석이 가능!
약 110μm/min의 Ar sputtering에 의해 깊이 방향원소분석을 신속하게 측정할 수 있습니다.
XPS·auger effect·SIMS와 같은 표면분석 장치와 다르게 고진공을 이용하지 않기 때문에 측정하고 싶을 때에 바로 측정을 실시할 수 있습니다.
비전기 전도성 실험자료의 측정이 가능!
고주파방식 글로우(glow) 방전(rf-GD-OES)이기 때문에 산화 막·ceramics·유리등 비전기 전도성 재료의 깊이 방향분석을 실시할 수 있습니다.
펄스 스패터링(sputtering) 채용으로 서브nm오더의 분석이 가능!
마커스형 글로우(glow) 방전을 채용하고 있기 때문에 수 nm의 깊이 방향분해능에서도 박막분석을 측정할 수 있습니다.
고속 스패터링(sputtering)이 가능하기 때문 두터운 피막도 신속히 측정 할 수 있고 계면분석이 가능합니다.
경원소측정도 가능 폭넓은 파장범위 110900nm을 가진 분광기를 채용하고 있기 때문에, H·Li·C·N·O등의 경원소의 깊이 방향분석도 측정 할 수 있습니다.


제조원 HORIBA Scientific

외형도

GD-Profiler Schematic