Real Time Interferometric Process Monitor LEM-CT-670-G50

개요

두종류의 레이저로, SiN, SiO2, GaAs, InP, AlGaAs, GaN등이 폭넓은 막질에 대응이 가능 합니다.
간섭식 실시간 막두께 모니터는 Etching/성장의 프로세스중에 막의두께 및 Etching 깊이를 고정밀도로 검출합니다. 시료 표면에 닿는 단색광은 박막의 두께나 단차에 대한 optical path lengths차이에 의해 간섭을 일으킵니다. 시간에 따라 간섭 강도의 변화를 모니터 하는 것으로, 그 주기에 의해 Etching/성장 속도를 산출해 낼 수 있습니다. 이로써 막두께 및 Etching 깊이로 End Point를 결정할 수 있습니다. 원리는 비교적 간단하기 때문에 안정도가 높고,  복잡한 다층막에도 대응 가능합니다.  

기능

레이저광원, 수광부, 광학계, 컴팩트한  간섭 계측부와 조명, CCD Image 카메라를 이용하여, 웨이퍼 표면의 확대 및 임의의 장소를 모니터 할 수 있습니다. 폭넓은 막질에 대응 가능한 Visible(가시광 영역 670nm) Laser를 사용하고 있습니다.
• Bath처리가 가능한 소프트웨어
Bath 처리 데이터-베이스에 의한 통계 처리나, HORIBA 반도체 제조 프로세스 모니터 공통의 리모트 콘트롤 I/O제어와 리모트 콘트롤 보드를 표준으로 탑재하여 SECSII에 의한 시리얼 컨트롤을 실시할 수 있습니다.
•유연성을 갖춘, End Point 검출 알고리즘
HORIBA JOVIN YVON 제품의 독자적인 알람 확장 설정 기능에 의해, 특수한 신호를 검출 할 수 있고, S/N가 나쁜 신호 검출 등에도 대응할 수 있는 알고리즘도 준비되어 있습니다.
• 고도의 재계산 기능
한 번 채취된 데이터를 기초로 반복적인 시뮬레이션을 실시해, 최적의 파라미터 설정을 실시할 수 있습니다. 또 이 데이터를 HORIBA로 전송해주시면 최적의 파라미터를 제공해 드립니다.
• CCD Image  Monitor 카메라 탑재.
대물렌즈←→웨이퍼 간의 거르를 200 mm~800 mm로써 폭넓게 대응이 가능합니다. 레이저를 이용하고 있기 때문에,Spot 지름을 20μm~100μm로 작게 할 수 있습니다. 앰프 내장형의 컴팩트한 설계로, 데이타 Logger 등과 접속해 주시면 카메라만으로 0-10 V의 출력을 모니터 할 수 있습니다.
 • 전형적인 간섭 파형
횡축은 시간을 나타냅니다. Etching이 진행되면 Etching 두께에 대한 간섭 주기를 알 수 있습니다. 1 주기를 얻을 수 있었을 때의 Etching의 량은 Dp=λ(레이저 파장 670nm) /2n(에칭막의 굴절률)로 나타내어집니다.


제조원 HORIBA