Direct Liquid Injection System

반도체 Device의 고속·고밀도화에 따라, 디바이스 구조의 미세화 뿐만 아니라 재료의 치환에 의한 대응이나 생산성 향상을 목표로 300 mm웨이퍼 프로세스의 도입을 하고 있습니다.이 동향에 따라, 반도체 프로세스에 이용되는“액체 재료”에 있어 다양화와 대유량화가 진행되고 있습니다. 폐사의 액체 재료 기화 시스템은 프로세스에 응한 액체 재료 기화 디바이스(인젝션 방식, 베이킹 방식)와 액체 재료 실린더로부터 안전하게 신속히 기화 디바이스에 재료 공급을 실시하는 Recharge System도 라인 업 해 종합적인 시스템을 제공하고 있습니다.

Segment: Semiconductor

Division: Fluid Control

Manufacturing Company: HORIBA STEC, Co., Ltd.

Features
Specifications

초소형：종래비 1/5
고속 완전 기화：공급되는 액체를 순간에 완전 기화합니다.
설치 방향 자유：어떠한 설치 방향으로도 기능은 유지합니다.
버블러-탱크, 기화 탱크 불요
액체 재료 기화 시스템을 전체적으로 서포트
프로세스에 응한 액체 재료 기화 시스템(인젝션 방식, 베이킹 방식)에, 액체 재료 마더 탱크로부터 안전하게 신속히 액체 재료를 자동 공급하는 종합적인 시스템을 제공하고 있습니다.

Model	VC-1310	VC-1410
Flow rate generated^*1 (During TEOS generation)	1.0 CCM or less (liquid phase conversion)	Max. 5.0 CCM conversion (liquid phase conversion)
Liquids supported	All liquids except those corrosive to stainless steel (ex, HCl and HF)
Temperature rise	Max. 150°C
Pressure generated^*1	Reduced pressure
Leak Integrity	External leak: 1.0 x 10^-8 Pa·m³/s (He) or less; Internal leak: 1 x 10^-6 Pa·m³/s (He) or less
Materials in gas contact area	SUS316L (PTFE)
Internal heater volume	AC 100 V, 70 W (35 W x 2)
Temperature sensor used	Thermocouple K type (CA)
Pressure Resistance	1.0 MPa (G)
Standard Fitting	Liquid inlet: 1/16" special joint, 1/8" VCR type male, 1/8" Swagelok type; Gas outlet: 1/4" VCR type male, 1/4" VCR type female

*1 Varies depending on the type of liquid.
*CCM is a symbol indicating gas flow rate (mL/min at 25°C, 101.3 kPa).