컴팩트 프로세스가스모니터 MICROPOLE System

잔류 가스 분석계 MICROPOLE System

잔류 가스 분석계 MICROPOLETMSystem은, 반도체나 액정 Panel, 태양전지등 진공 chamber의 전압 및 잔류하고 있는 가스의 분압을 계측할 수 있는 질량 분석계입니다. 질량 검출부에는 9개의 사중극부로 구성해, 「세계 최소 클래스 사이즈」, 「경량화」, 「고압화」를 실현 하였습니다. 이러한 기술 개발로 설치시 요구되는 스페이스도 작으며,...

Optical Emission Spectroscopy Etching End-point Monitor EV-140C

플라스마를 이용한 반도체 공정에서 End Point의 검출 또는 플라스마의 상태를 관리하기 위한, 발광 분석 방식의 End Point 모니터입니다.신개발된 알고리즘“Rupture Intensity”에 의해 미약한 신호 변화로부터 정확하게 End Point를 검출할 수 있습니다.미약한 신호 변화를 파악할 수 있는, 높은 감도와 노이즈에 강한 내구성으로, 24시간 가동하는 제조 라인의 가혹한 환경에서도 안정된...

Real Time Interferometric Process Monitor DIGILEM-CPM-Xe/Halogen

GaN、AlGaN、SiO2、SiN등의 얇고 투명도가 높은 박막 분석에 최적입니다.간섭식 실시간 두께 모니터는 Etching/성막의 프로세스중에 막두께, Etching 깊이를 고정밀도로 검출합니다. 시료 표면에 비춰진 단색광은 박막의 두께나 단차로 인한 optical path lengths차이에 의해 간섭을 일으킵니다. 간섭 강도의 시간 변화를 모니터 하는 것으로, 그 주기에 의해 모니터 장소의...

Real Time Interferometric Process Monitor LEM-CT-670-G50

두종류의 레이저로, SiN, SiO2, GaAs, InP, AlGaAs, GaN등이 폭넓은 막질에 대응이 가능 합니다.간섭식 실시간 막두께 모니터는 Etching/성장의 프로세스중에 막의두께 및 Etching 깊이를 고정밀도로 검출합니다. 시료 표면에 닿는 단색광은 박막의 두께나 단차에 대한 optical path lengths차이에 의해 간섭을 일으킵니다. 시간에 따라 간섭 강도의 변화를 모니터 하는...