等离子体分析飞行时间质谱仪PP-TOFMS

快速、灵敏、高分辨的深度剖析技术

等离子体分析TOFMS满足了材料科学家在多领域的应用需求,可对无机材料进行快速元素深度分布剖析,测试速度快,操作简单,减少了许多生长过程优化时间,有助于减少发现新材料到应用的时间。

覆盖每个深度点测试的 TOFMS 可以用于检测非可疑污染,这是薄膜工艺失效分析和优化的关键,这种方法不局限于高阶方法(即喷墨印刷……)。

PP-TOFMS 是材料科学家理想的过程监控工具:

  • 检查化学计量与层深度的关系,范围从纳米到数十微米

  • 确定掺杂深度分布

  • 识别未预料到的污染

  • 监控界面组成和宽度

事业部: 科学仪器
制造商: HORIBA France SAS

PP-TOFMS 仪器具有:

  • 紧凑

  • 快速

  • 轻松上手

  • 材料科学中广范应用

  • 多用户

 

  • 辉光放电等离子源

  • 独特的脉冲射频专利技术(专利号:WO2010/092301 国际专利分类:G01N 21/67 2006.1 G01N 21/68 2006.1 H01J 37/32 2006.1 H01J 61/02 2006.1)

  • 无需样品制备,无需超高真空环境

  • 激光定位样品

  • 可测试0.7 cm 到 30 cm高的样品

  • 标准 4 mm 阳极(4 mm ⌀ 坑道)

  • 可用 2 mm 阳极(2 mm ⌀ 坑道)

  • 无油环境(干泵)

  • 易于拆卸和清洁辉光源部件

 

FOT分析

• 正交提取

• 高分辨率反射器(在208 Th 时分辨率高达 5000)

• 对用户友好、符合人体工程学、简单易学

• 可滤除四个强离子以获得高动态:用户选择离子和衰减幅度

软件

• 快速自动启动程序

• 实时显示深度剖面

• 一键半定量深度剖面

•  远程在线功能

光子材料中与稀土共掺杂的ZnO薄层的 PP-TOFMS 深度分析
光子材料中与稀土共掺杂的ZnO薄层的 PP-TOFMS 深度分析
PP-TOFMS 是一种快速可靠的技术,可用于稀土掺杂的 ZnO 薄膜的深度分析,以高灵敏度和高深度分辨率获得Tb和Eu的深度分布。这样的深度剖析是理解光致发光数据的有力补充信息,以前通常由 SIMS、RBS 或XPS 提供,但这些仪器分析速度慢且成本较高。此示例可以扩展到用于光子学(照明、显示器、太阳能行业)领域的材料表征,例如宽带隙半导体(SiC、GaN...)、氮化物和氮氧化物、纳米硅材料、玻璃...掺杂 Yb 、Y、Sm、Er、Nd、Pr 和 Tm...

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产品配件

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符合人体工程学的软件,兼具数据采集,数据处理和技术支持

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