Applications

太阳能电池中多晶硅小角度晶界(SA-GBs)的电学和光学特性

利用电子束诱导电流(EBIC)和阴极发光(CL)相结合的研究方法,阐明了降低多晶硅(mc-Si)太阳能电池转换效率的小角度晶界(SA-GBs)的电学和光学性质。采用高纯度的mc-Si来避免污染的影响。EBIC观察,偏转角为1°左右的SA-GB在室温(300K)下无明显反差(<10%),而在低温(100K)下有25-50%的强烈反差。而2°左右的SA-GB即使在300K时也表现出强烈的对比度。在此基础上,认为前者只具有浅能级,而后者同时具有浅能级和深能级。单色CL图像显示,D3和D4主要在1°SA-GBs、2°SA-GBs和2.5°SA-GBs上观察到。这些结果可以用GBs上位错密度的差异来解释。值得注意的是,在SA-GBs附近的广大区域观测到了D1的排放。另一方面,大角度Ʃ和随机显示周EBIC对比在100K,没有观测到发射。

综上所述,SA和大角度GBs具有本质上不同的电学和光学性质,特别是SA-GBs将是电气致命缺陷。为了提高mc-Si太阳能电池的转换效率,对SA-GBs的控制至关重要。

相关产品

留言咨询

如您有任何疑问,请在此留下详细需求信息,我们将竭诚为您服务。

* 这些字段为必填项。

Corporate