半导体光致发光表征

光致发光光谱 (PL) 是一种用于表征材料的有效方法。PL可用于发现硅和III-V族元素半导体中的杂质和缺陷，并确定半导体带隙。材料吸收光，产生电子-空穴对；电子从价带跳到导带留下一个空穴。重组时发射的光子对应于价带和导带之间的能量差，因此能量低于激发光子。