椭圆偏振光谱仪和FTIR-ATR联合表征纳米级高K介电材料
在互补式金属氧化物半导体（CMOS）中，正在研究用高K介质材料替代传统的SiO2或SiOxNy栅极介电层。本文对铪铝氧化物（HfAlO）进行了研究，其物理性能满足此类应用的需求。铝酸铪薄膜的结构和组成以及HfAlO/Si界面对CMOS器件的优化具有非常重要的作用。文中采用两VUV椭圆偏振光谱和红外光谱（FTIR-ATR）共同表征薄膜的厚度、带隙附近及以上光学的特性。
UVISEL 2 VUV
真空紫外椭偏仪
UVISEL 2 VUV专为VUV 测量设计，整个系统处于真空状态，无氧气吸收。具备高准确性；超快测量速度；快速样品室抽真空能力，方便快速更换样品；氮气消耗量少。光谱范围可覆盖147-2100nm。
UVISEL 2 VUV能够在充氮气或抽真空模型下工作。整个机械设计经过优化，氮气消耗量低至6L/min，载样速度快，2分钟内即可完成。真空样品仓门朝向操作人员更便于样品装载。
UVISEL 2 VUV在VUV波段具有高灵敏度，它集成了大功率双光源、高通量光学系统以及CaF2光弹调制晶体和两个时髦的单色仪。从147nm到850nm，样品测量时间少于8分钟，具有良好的信噪比。
UVISEL 2 VUV通过显著减少氮气消耗量、吹扫及测试时间，改变了VUV椭偏仪的世界。
DeltaPsi2软件提供了从测试到建模分析，输出报告，以及自动操作的全部功能控制，用户界面直观、友好，非常适用于科研及工业客户使用。
UVISEL 2 VUV测试速度快、运行成本低，使其成为分析147nm到2100nm波段薄膜的理想工具。UVISEL 2 VUV椭偏仪可以定制化和自动化。
