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清洗

清洗

在清洗、蚀刻或剥离时,或在 MEMS 器件 KOH/HF 应用中,对半导体晶圆进行化学处理后,为停止化学反应并清除化学残留物,应完全清除表面工艺化学品。由于化学物质仍然覆盖晶圆表面,尤其是拓扑凹槽结构(沟槽)内,晶圆在蚀刻槽外会继续化学反应。这对蚀刻应用至关重要,因为过度蚀刻可能会破坏图形并导致严重的良率损失。通常选择定制塑料槽、PFA 槽用于快排清洗工艺步骤。

根据设备类型和应用场景,半导体制造中采用如下三种清洗方式:

  • 溢流清洗:将晶圆浸入清洗槽中,从槽底持续注水,并从顶部边缘溢出。
  • 喷洗:采用单程模式(单片设备的标准工艺),在可变流量、压力或温度下通过喷嘴将超纯水直接喷洒到晶圆上
  • 快排清洗:对湿式清洗台采用上述综合清洗方法,将晶圆放入溢流冲洗槽中,快速倾倒超纯水,采用喷洒和/或从底部加水的方式重新给冲洗槽补水。

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