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化学机械研磨(CMP)

化学机械研磨(CMP)是一种强大的制造技术,它使用化学氧化和机械研磨以去除材料,并达到非常高水平的平坦度。化学机械研磨在半导体制造中被广泛应用于选择性去除材料以实现形貌的平坦和器件结构的形成。材料的选择性去除是通过使用化学反应和机械研磨与含有独特的化学配方和大量研磨颗粒的研磨液。研磨过程中会产生化学反应产物和机械磨屑。研磨液颗粒和研磨副产物压在晶圆表面。在晶圆从研磨设备转移到清洗设备的过程中,污染物会附着在晶圆表面。CMP后清洗需要去除不同表面、不同几何特征的化学和机械性能的晶圆上的颗粒、有机残留物和金属污染物,而不产生划痕、水渍、表面粗糙、腐蚀和介电常数的漂移。

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