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沉积

沉积是在表面沉积一层材料的过程。有多种方法可以做到这一点,包括选择性沉积、原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)。使用哪一种技术取决于工艺节点、芯片的类型和所需的沉积时间。

原子层沉积(ALD)

原子层沉积(ALD)是一种基于连续使用气相化学工艺的薄膜沉积技术。ALD 被认为是化学气相沉积的一个子类。多数 ALD 反应使用两种被称为“先驱物”的化学物质。先驱物相继以自限方式与材料表面反应。通过反复接触单独的先驱物,薄膜缓慢沉积。ALD 是制造半导体器件和纳米材料合成部分成套工具的关键工艺。

化学气相沉积(CVD)

化学气相沉积(CVD)是一种通常在真空下生产高质量、高性能固体材料的沉积方法。该工艺通常用于制造半导体和薄膜生产。

在典型的化学气相沉积中,基板接触一种或多种挥发性前驱体,前驱体在基板表面发生反应和/或分解,产生所需的沉积物。

物理气相沉积法(PVD)

物理气相沉积法(PVD)是可用于多种薄膜生产和镀层的真空沉积方法。在 PVD 工艺中,材料从固相变成气相,然后回到薄膜固相。溅射和汽化是最常见的 PVD 工艺。PVD 主要用于制造机械、光学、化学或电子功能的芯片所需要的薄膜。

溅射技术包括:磁控管溅射、离子束溅射、反应溅射、离子束辅助溅射、气流溅射。

汽化包括两个基本工艺:热源材料汽化并在基板上凝结。

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