UVISEL 2 VUV

UVISEL 2 VUV HORIBA

真空紫外椭偏仪

UVISEL 2 VUV专为VUV 测量设计,整个系统处于真空状态,无氧气吸收。具备高准确性;超快测量速度;快速样品室抽真空能力,方便快速更换样品;氮气消耗量少。光谱范围可覆盖147-2100nm。

UVISEL 2 VUV能够在充氮气或抽真空模型下工作。整个机械设计经过优化,氮气消耗量低至6L/min,载样速度快,2分钟内即可完成。真空样品仓门朝向操作人员更便于样品装载。

UVISEL 2 VUV在VUV波段具有高灵敏度,它集成了大功率双光源、高通量光学系统以及CaF2光弹调制晶体和两个时髦的单色仪。从147nm到850nm,样品测量时间少于8分钟,具有良好的信噪比。

UVISEL 2 VUV通过显著减少氮气消耗量、吹扫及测试时间,改变了VUV椭偏仪的世界。

DeltaPsi2软件提供了从测试到建模分析,输出报告,以及自动操作的全部功能控制,用户界面直观、友好,非常适用于科研及工业客户使用。

UVISEL 2 VUV测试速度快、运行成本低,使其成为分析147nm到2100nm波段薄膜的理想工具。UVISEL 2 VUV椭偏仪可以定制化和自动化。

事业部: 科学仪器
产品分类: 椭圆偏振光谱仪
制造商: HORIBA France SAS
  • 载样速度快
  • 吹扫速度快
  • 氮气消耗少
  • 测试速度快
  • 两种操作模式可选:氮气保护或抽真空
椭圆偏振光谱仪和FTIR-ATR联合表征纳米级高K介电材料
椭圆偏振光谱仪和FTIR-ATR联合表征纳米级高K介电材料
在互补式金属氧化物半导体(CMOS)中,正在研究用高K介质材料替代传统的SiO2或SiOxNy栅极介电层。本文对铪铝氧化物(HfAlO)进行了研究,其物理性能满足此类应用的需求。铝酸铪薄膜的结构和组成以及HfAlO/Si界面对CMOS器件的优化具有非常重要的作用。文中采用两VUV椭圆偏振光谱和红外光谱(FTIR-ATR)共同表征薄膜的厚度、带隙附近及以上光学的特性。

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