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干法过程控制

HORIBA 拥有超过 30 年的经验,为监控和控制高科技制程提供稳健的高性能解决方案。

气体监测仪 / 真空监测仪

HORIBA 开发了一套紧凑的质谱仪系统。紧凑的尺寸通过四极滤质器微型阵列的特别设计实现。该阵列提供了与传统质谱仪相似或更高的灵敏度,但体积更小。该系统能在比传统系统更高的压力下运行,因此减少了对额外真空泵的需求。RGA 稳定可靠,可在工艺开始前检测真空室的状况,例如检测真空室内的水分。

我们还提供屡获殊荣的电容压力计,其设计紧凑,采用全金属材料,具有自温度调节功能。

HORIBA 蒸汽浓度监测仪稳定可靠,使用非分散红外吸收测量技术(NDIR)确保高性能。

等离子体发射控制 

HORIBA 等离子体发射控制器为反应溅射过程(PVD)提供出色的等离子体控制。

反应溅射过程中对反应气流的快速反馈控制有助于提高产品质量和生产率。这一点通过监测溅射过程中产生的等离子体和电源电压来实现。

HORIBA 等离子体发射控制器可通过控制过渡区和优化分布加快沉积过程。

等离子体监测仪

使用等离子体的制程需要等离子体监测仪。等离子体监测仪用于监控半导体制程中的等离子体发射,例如蚀刻和溅射。

HORIBA 为等离子体工艺提供两个现场实时等离子体监测仪:

  • 光发射光谱学刻蚀终点监测仪可以准确、重复地发出等离子体蚀刻终点的信号。
  •  实时干涉工艺监测仪可在蚀刻和镀膜工艺中对膜厚和蚀刻沟槽深度以及蚀刻和沉积速率进行高精度检测。

终点检测

IR-200

等离子体监测仪

Optical Emission Spectroscopy Etching End-point Monitor EV-140C

气体监测仪

IR-400

真空监控

Micropole

薄膜生长监控

等离子体发射控制

RU-1000

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