全息离子束刻蚀Lamellar原刻光栅

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数例全息离子束刻蚀Lamellar原刻光栅

等线密度平面光栅

参考号 基底尺寸(mm) 有效面积(mm) 线密度(l/mm) 基底材料 光谱范围 (eV / nm)
549 00 032S 30x130x30 20x120 1200 Si 124-365 eV / 3.4-10 nm
549 00 033S 30x130x30 20x120 600 Si 62-177 eV / 7-20 nm

等线密度球面光栅

  • 曲率半径:17,800mm
  • ±1 000 mm 曲率半径公差:±1 000 mm
参考号 基底尺寸(mm) 有效面积(mm) 线密度(l/mm) 基底材料 光谱范围(eV / nm)
549 00 078S 40x180x30 30x170 1200 Si 41-155 eV / 8-30 nm
549 00 079S 40x180x30 30x170 600 Si 21-77 eV / 16-60 nm
549 00 080S 40x180x30 30x70 300 Si 10-38 eV / 3.2-120 nm

变线距平面光栅

  • 线距变化规律: N(x) = N0 + N1x + N2x2
参考号 面型 基底尺寸(mm) 有效面积(mm) 多项式的系数 基底材料 光谱范围(eV / nm)
549 00 014S Plane 35x155 x30 30x150 N0 = 550 gr/mm
N1 = 0.555 gr/mm2
N2 = 4.61 10-4 gr/mm3
Si 180-700 eV / 1.7-7 nm