单通道探测器

HORIBA Scientific提供两类配合扫描光谱仪使用的单通道探测器――光电倍增管(PMT)探测器和固态探测器。对于光谱仪的多通道应用,我们也提供一系列CCD探测器。此外,我们还提供锁相控制器。

光电倍增管(PMT)探测器

光电倍增管(PMT)探测器一般要比固态探测器的灵敏度高得多,在紫外/可见及近红外范围内效率高。然而,它的光谱范围一般被限制,到950nm左右截止,此外PMT还需要高压电源供电。

HORIBA Jobin Yvon提供的PMT探测器为空冷或者水冷、正入射或者侧入射的高品质光电倍增管。

型号 PMT类型,冷却方式 光谱范围 备注
1911 (F 或 G) R928 多碱光阴极PMT,风冷,侧窗口 190-860 nm 需要200-1200V高压电源
1912 (F 或 G) S1 R406 PMT,水冷或TE制冷,侧窗口 400-1100 nm 需要高压电源,电压最高可到1500V。虽然光子计数器能近似实现,建议使用电流输入。还包括1630C棱镜接口
1913 (F 或 G) R943-02 砷化镓PMT,水冷或TE制冷,顶端窗口 200-930 nm 建议采用光子计数。需要1500V高压电源,电压最高可达1800V。还包括1630C棱镜接口.
1914 (F 或 G) 多碱光阴极PMT,水冷或TE制冷,侧窗口 190-860 nm 需要高压电源,电压最高可达1500V。采用电流输入或光子计数器。还包括1630C棱镜接口.

固态探测器

固态探测器是把入射光转化为电信号的光电器件。在略低于200nm到20um以上的工作波长范围内,固态探测器具有高灵敏度、高可靠性、经济实用以及高效率的优点。

HORIBA Jobin Yvon 提供大量种类齐全的固态探测器以满足任何应用需求。根据您的灵敏度要求有空冷、半导体制冷以及液氮制冷几种不同的制冷方式。

固态探测器可以分为三个不同类别:光电发射式、光电导式和双色固态探测器。

光电发射式探测器是快速、高灵敏度的探测器,一般它不需要锁相放大器和斩波器,除非是微弱光信号应用的情况推荐使用斩波器和锁相。它的光谱范围上限约为5µm.

光电导式探测器工作速度相对较慢、灵敏度也相对较低,但是光谱范围可达12µm甚至以上。光电导式固态探测器必须使用锁相放大器和斩波器。

双色固态探测器是结构上类似三明治的探测器,通常一个硅探测器在前,第二个探测器在后。硅探测器工作范围达1.1µm,波长更长的范围内硅探测器变得透明,第二个探测器则开始工作。在这个波长范围内,硅探测器效率下降约40%,第二个探测器效率保持不变。包含PbS 或PbSe的双色探测器必须使用锁相放大器和斩波器,对于其他固态探测器则推荐使用。

为得到固态探测器最大的灵敏度,我们提供适用于所有固态探测器的红外特殊封装。该封装包括一面6:1压缩光斑大小、光路90度垂直的椭圆反射镜。该反射镜可使得各个波长的能量均会聚于探测器上.

光电发射式探测器

型号 冷却方式 光谱范围 NEP 备注
硅(Si) 无冷却 0.2 - 1.1 微米 - 无放大,大感光面积10x10mm。NEP由模拟输入决定
硅(Si) 无冷却 0.3 - 1.1 微米 2 x 10-14 前置放大,要求±15V 供电
锗(Ge) 无冷却 0.8 - 1.8 微米 7 x 10-13 前置放大,要求±15V 供电
锗(Ge) TE制冷 0.8 - 1.75 微米 5 x 10-14 前置放大,要求±15V 供电
铟镓砷 无冷却 0.8 - 1.7 微米 6 x 10-14 前置放大,要求±15V 供电
铟镓砷 TE制冷 0.8 - 1.65 微米 1 x 10-14 前置放大,要求±15V 供电
铟镓砷 液氮冷却 0.8 - 1.6 微米 1 x 10-15 前置放大,要求±15V 供电
砷化铟 无冷却 1 - 3.6 微米 2 x 10-10 前置放大,要求±15V 供电
砷化铟 TE制冷 1 - 3.55 微米 1 x 10-11 前置放大,要求 +/-15V 供电
锑化铟 液氮冷却 2 - 5.5 微米 1 x 10-12 前置放大,要求±15V 供电

光电导式探测器

型号 冷却方式 光谱范围 NEP 备注
硫化铅(PbS) 无冷却 1 - 3 微米 2 x 10-12 前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度在 100-500Hz
硫化铅(PbS) TE制冷 1 - 3 微米 1 x 10-12 前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度在 100-500Hz
硒化铅(PbSe) 无冷却 1 - 5 微米 5 x 10-11 前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度1KHz
硒化铅(PbSe) TE制冷 1 - 5 微米 2 x 10-11 前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度 1KHz
碲镉汞 (HgCdTe) TE制冷 1 - 5 微米* 1 x 10-11 前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度 1KHz. *波长响应随工作光谱范围变化.
碲镉汞(HgCdTe) TE制冷 1 - 10 微米* 1 x 10-8 前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度 2KHz - 10KHz. *波长响应随工作光谱范围变化.
碲镉汞(HgCdTe) 液氮冷却 1 - 14 微米* 6 x 10-12 前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度 2KHz - 14KHz. *波长响应随工作光谱范围变化.
碲镉汞(HgCdTe) 液氮冷却 1 - 20 微米* 2 x 10-11 前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度 2KHz - 20KHz. *波长响应随工作光谱范围变化.

双色探测器

型号 冷却方式 光谱范围 备注
硅/铟镓砷 无冷却 0.3 - 1.7 µm 前置放大. 需要+/-15V 供电
硅/铟镓砷 TE制冷 0.3 - 1.65 µm 前置放大. 需要+/-15V 供电
硅/锗 TE制冷 0.3 - 1.75 µm 前置放大. 需要+/-15V 供电
硅/硫化铅 TE制冷 0.3 - 3 µm 前置放大. 需要+/-15V 供电
硅/硒化铅 TE制冷 0.3 - 5 µm 前置放大. 需要+/-15V 供电
硅/砷化铟 无冷却 0.3 - 3.6 µm 前置放大. 需要+/-15V 供电
硅/砷化铟 TE制冷 0.3 - 3.55 µm 前置放大. 需要+/-15V 供电
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