GaN纳米线拉曼光谱成像

Nanostructures Mapping

光致发光(PL)和拉曼光谱技术能够提供半导体和多种纳米材料的电学、光学属性信息。

 

拉曼/PL显微系统是一种基于激光技术的仪器,它能够达到250nm的空间分辨率,绘制出纳米结构的图像。作为一种光谱技术,它还能够基于样品的化学特征观测到更小的细部特征。 碳纳米管 就是这种纳米或亚微米结构的一个常见例子。.

GaN Nanowire Raman
上图:GaN纳米线的AFM图像,左图:GaN纳米线的偏振拉曼图像,纳米线直径150 nm。
图片出处:单根GaN纳米线的偏振拉曼共焦显微图像,Peter J. Pauzauskie, David Talaga, Kwanyong Seo, Peidong Yang, and Francois Lagugne-Labarthet. JACS 2005, 147(49), 17146。

HORIBA Scientific公司的拉曼光谱成像系统,例如LabRAM HR和 LabRAM ARAMIS,均可用来对这种样品的细部特征进行成像研究。

 

HORIBA Scientific的拉曼/PL光谱成像系统应用于科学研究或生产环节,可以装配使用液氮或液氦的低温样品池,从而测量低温 的光致发光属性。

参考文献: Polarized Raman Confocal Microscopy of Single Gallium Nitride Nanowires Peter J. Pauzauskie, David Talaga, Kwanyong Seo, Peidong Yang, and Francois Lagugne-Labarthet. JACS 2005, 147(49), 17146

Si纳米线拉曼光谱成像

Silicon (Si) nanowire mapping
图:Si纳米线的拉曼图像,纳米线直径约200 nm。

拉曼和PL光谱是确定纳米结构的结晶度和晶向的重要手段。