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図1にある断面TEM像のような、Al基板上にNiPメッキした後、Cr・Co磁性膜、DLC膜を施したハードディスク基板をJY-5000RF(GD-OES)で測定しました。


新型のデジタルマッチング制御式高周波電源を用いれば、従来難しかった低い出力でのプラズマ点灯・スパッタが可能になるため、熱影響の大きい有機系試料へのダメージがより低減することが可能です。


GD-OES法は、水素Hを分析することができるというユニークな特長を有しています。


rf-GD-OESは原子発光を応用した分光分析法のため、水素Hなどの軽元素の分析を行うことができます。


  • Characterization of electrochromic devices by spectroscopic ellipsometry 

  • ガラス基板上およびZrO2(酸化ジルコニウム)蒸着膜上のY2O3(酸化イットリウム)薄膜の屈折率測定
    (本文は英文です)

  • 溶液の空気‐水界面において行った疎水基で修飾した多糖類の凝集に関する偏光法調査
    (本文は英文です) 

高周波(Radio-Frequency)方式を用いたGD-OES法では、非導電性の皮膜でも問題なく、深さ方向分析を行うことができます。


  • Al基板上にNiPメッキした後、Cr・Co磁性膜、DLC膜を施したハードディスク基板を試料とし、その深さ方向定量分析をJY-5000RF(GD-OES)とSEM-EDXで行いました。 

  • Al基板上にNiPメッキした後、Cr・Co磁性膜、DLC膜を施したハードディスク基板をJY-5000RF(GD-OES)で測定しました。

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