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最近のrf-GD-OESは、低速スパッタリング制御が可能であるパルススパッタユニットが搭載されているため、サブnmオーダーの深さ分解能を有しています。このようなGD-OESを、pulse-GD-OESと呼んだりもしますが、これを用いると、化合物半導体の量子井戸構造(MQW : Multi Quantum Well)の成膜評価などを行うことができます。


  • SiGe、Graded SiGe、Poly-SiGe等の解析例

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