半導体材料分析アプリケーション
HORIBAグループでは、シリコン半導体・化合物半導体の分析ソリューションを提案しています。
ウェハからデバイス開発に至るまでの、研究・開発・品質管理断面ですでに活用されている分析事例を「表面・ 薄膜評価」、「応力・構造評価」、「欠陥評価」、「異物検出・ 除去」、 「平坦化」の5つに分類し、紹介します。

表面・膜質評価
膜厚・屈折率・消衰係数
分光エリプソメータ

膜構造が既知でありラフネスが小さく、光が透過する試料であれば多層構造の「膜厚」算出が可能です。また屈折率・消衰係数から「膜質」評価も可能です。
ウェハ深さ方向元素分析
マーカス型高周波グロー放電発光表面分析装置

μm / min オーダのスパッタリングレートにて、試料表面から深さ方向の元素分析が可能です。
XPS、AES、SIMSなどの表面分析装置と比較し、前処理・超高真空不要で格段に速く分析できるため、研究開発・品質管理など幅広い分野で活用可能です。
シリコンウェハ中の酸素濃度分析
固体中酸素・窒素・水素分析装置

Siウェハ中の酸素は電気抵抗値に影響を与えるため、より低濃度(10ppm以下)での酸素量の管理が求められます。
Siウェハの表面と内部の酸素を切り分けた定量分析が可能です。
応力・構造評価
シリコン応力測定
ラマン分光測定装置
LabRAM HR Evolutionは、紫外~近赤外領域におけるスペクトル高分解能測定と、サブμmスケールの空間分解能、オートメーション機能を強化したラマン分光測定装置です。

光の回折限界を超えた空間分解能の構造解析
AFM-Raman統合装置


XploRA Nanoは、原子間力顕微鏡(AFM)と顕微ラマン分光を組み合わせた物質最表層の物理・化学情報を得るためのイメージング分光装置です。特殊なプローブを用いたチップ増強ラマン分光(TERS)測定により、nmスケールの構造解析を実現します。
欠陥評価
ウェハ全面高速欠陥分析
顕微フォトルミネッセンス測定装置

紫外~近赤外(200 ~ 2,100 nm)のPL測定に対応します。定常PLスペクトルや時間分解測定による発光減衰曲線からウェハ表面の欠陥を可視化します。また発光強度のヒストグラムから欠陥種も解析可能です。
ウェハ欠陥密度測定
カソードルミネッセンス測定システム


電子顕微鏡の空間分解能レベルでSiCやGaNウェハの結晶性、欠陥評価が可能です。
特長
- 既設の電子顕微鏡に追加可能
- 紫外〜近赤外波長(200 ~ 2,100 nm)の測定に対応
- SEM一体型高範囲CLイメージング装置(Imaging CL)も提案可能
Key Applications
- 欠陥/不純物
- コンタミ/含有物

ウェハ上の欠陥検査・元素マッピング、めっき膜厚測定
微小部X線分析装置



光学像・透過X線像・蛍光X線マッピング像による観察&分析が1台で可能です。調整可能な焦点距離と3種類の照明搭載により、凹凸のある試料もクリアに観察できます。高輝度X線による高速マッピングで分析時間を短縮します。
異物検出・除去
ウェハに付着した異物の検出
異物検査装置

レティクル/マスクの異物検査装置として長年にわたり多くの導入実績を誇るPDシリーズ。ウェハを対象とした場合、ベアウェハであれば最高感度0.1 μmで異物の測定可能です。
ウェハに付着した異物の除去
異物除去装置

ウェハに付着した異物をAir(またはN2)ブローと真空吸引により自動除去します。200 ㎜サイズまでの対応実績があります。
平坦化
CMPスラリーの粒子径を分析
粒子径分布測定装置

nmからmmのサイズまで分析可能です。希釈をせずにスラリーのままでも測定できます。