Semiconductor

応力分析

Si マイクロ加工構造の応力イメージング

ラマンイメージによる応力分布分析

3Dイメージングから活性ゾーンの端にある浅いトレンチ(溝)に機械的応力が作用していることがわかりました。


Siにかかる応力とラマンピークシフトには線形的な相関があります。
M.Komatsubara,T.Namzu,Y.Nagai,S.Inoue,N.Naka,S.Kashiwagi,K.Ohtsuki :Jph.J.Appl.phys.48(2009)04C021

SiCの応力分析

ラマンとCLによるSiC複合分析

SiCの残留応力は776cm-1のピークシフト量で判断


カソードルミネッセンス(CL)イメージの欠陥の位置とピークシフト変化の位置が一致することから、CLイメージで見えないウェハ内部の欠陥もラマンピークシフトから予想できます。

SiGeの応力分析

AFMラマンによる高空間分解能応力分析

Siバンド強度が強い(=膜厚が厚い)部分に応力が集中することが判明しました。


Tip in時のスペクトルをピーク分離したところ、Siピーク(520.48cm-1)からシフトしたピークが検出され、応力(歪み)が存在することが推定できます。

Tip out時はバルクであるSiの影響が強く、Tip in時は最表面近傍のみの信号を取得できます。

顕微ラマン分光測定装置 LabRAM Odyssey

  • 業界最高レベル*の応力分解能(*2022年当社調べ)
  • 12インチウェハまでマッピング対応可能
  •  温調ホルダ使用可能(試料サイズは別途ご相談)

AFM(原子間力顕微鏡)ラマン XploRA Nano

  • AFMによる物理情報とラマンによる化学情報を同時に取得
  • nmオーダの最表面の応力分布分析が可能
LabRAM Odyssey
LabRAM Odyssey

顕微ラマン分光測定装置

AFM Raman
AFM Raman

原子間力顕微鏡(AFM)-ラマン分光統合装置

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