Vapor Concentration Controller

액체와 고체에서 나오는 가스 공급 방법 중 하나는 거품이 일어나는 것입니다. 버블링은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정에서 널리 사용됩니다. VCC-100은 NDIR 기술과 밸브 기술 HORIBA를 오랫동안 적용함으로써 첨단 공정 제어 시대의 산업 요구사항을 충족하기 위해 버블러의 하류에서 일정한 농도를 유지할 수 있습니다.

자세한 내용은 HORIBA의 화학 농도 제어 방법을 참조하십시오.

Segment: Semiconductor
Manufacturing Company: HORIBA STEC, Co., Ltd.

Easy to install

  • Just replace an existing pressure controller to VCC-100


Small footprint

  • Only 50 mm length in addition to pressure controller


Easy to use

  • Only to set target concentration
  • No connection to other components (e.g., MFCs) are necessary


2 modes of control

  • Concentration control: VCC-100 acts as concentration controller
  • Pressure control: VCC-100 acts as pressure controller with concentration output.
Cell Length5mm50mm
Target ChemicalsTMGa, DEZn, IPATMIn, TMIn, TEGa, TMGa, TMAI, DEZn, IPA
Target Flow Rate0.3 - 10 SLM
Operating Pressure30 - 300 kPa
Cell Temperature60 degree C
Fitting1/4 VCR male
CommunicationAnalogue / Digital, DeviceNet
Power Requirement

+/-15 v DC (Analogue/Digital)

24 v DC (DeviceNet)

Heater Power200 - 240 v AC
Dimensions155 x 59 x 140 mm
Vapor Concentration Control
Vapor Concentration Control
Vapor concentration control of precursors provide substantial improvement in stabilizing MOCVD processes. By measuring a precursor partial pressure in a downstream line with a Non Dispersive Infrared (NDIR) technology and controlling its total pressure, a precursor concentration can be kept constant. This precursor concentration control is validated as a practical method against a temperature fluctuation of a cylinder bath and a failure of reaching a saturation pressure in a cylinder.

제품 문의

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