반도체 프로세스
Cathodeluminescence MP-32S/M은 thermal 타입의 필드 에미션SEM을 사용하고 지금까지 불가능했던 미시영역에 있어서의 높은 분해능을 실현 sub Micron의 벽을 돌파했습니다.
높은 수율로 효율적인 이물 검사•측정을 실현.
높은 가동률과 안정성 등, 수많은 고성능•고기능으로 많은 반도체 제조 현장에서 높게 평가되고 있는 HORIBA의 Reticle/Mask 이물 검사 장치 PD시리즈 입니다. 긴시간 안정적으로 가동되는 반송계와 고수율과 고성능 기능을 한층 더 독자적으로 개발한 신호 처리 방식에 의해 Pr-PD 시리즈중 최고 감도로 최소 0.35μm의 미세 이물 검출을 가능하게 한 것이, 이 Reticle/Mask 이물 검사 장치 PR-PD2입니다.
높은 수율로 효율적인 이물 검사•측정을 실현.
높은 가동률과 안정성 등, 수많은 고성능•고기능으로 많은 반도체 제조 현장에서 높게 평가되고 있는 HORIBA의 Reticle/Mask 이물 검사 장치 PD시리즈 입니다. 긴시간 안정적으로 가동되는 반송계와 고수율과 고성능 기능을 한층 더 독자적으로 개발한 신호 처리 방식에 의해 Pr-PD 시리즈중 최고 감도로 최소 0.35μm의 미세 이물 검출을 가능하게 한 것이, 이 Reticle/Mask 이물 검사 장치 PR-PD2HR입니다.
각종의 스텝퍼 케이스에 대응하며, 최대 10단까지의 다단 소타나 기능과 함께 각종 통신 기능도 충실합니다. PD시리즈만이 가능한 넓은 범용성으로 Reticle/Mask 상의 이물 검출은 물론, 유리/Paticle 각 면을 고수율로 측정해, 모든 반도체 제조 라인의 제품 비율 향상에 뛰어난 성능을 발휘합니다
높은 가동률과 높은 안정성으로, 많은 반도체 제조 현장으로부터 높게 평가되고 있는 HORIBA의 이물 검사 장치 PD시리즈 입니다. 장기간 안정적으로 가동되는 반송계와 높은 수율의 고성능 기능을 그대로 이어받아, Compact하게 Upgrade 한 것으로, Reticle/Mask 이물 검사 장치 PR-PD3입니다. 기존의(PR-PD2)와 비교해서 약1/2의 소형화를 실현한 동시에, 낮은 운용비를 실현 하였으며, 0.5μm의 검출 감도에 의한 넓은 범용성 및 Reticle/Mask 상의 이물 측정과 이물 검사에 필요한 폭넓은 요구에 만족하는 심플한 장치가 탄생했습니다.
PD시리즈의 고성능을 이어가면서, 한층 더 소형화 되었으며, 낮은 가격을 실현 하였습니다. reticle stockers 나 steppers, 세정 장치등의 장비와 결합이 가능합니다.
* reticle 반전 기구
* 0.5~50μm선택 가능
* 장비 내장/조합형
Blower와 진공흡입으로 이물질을 자동으로 제거 합니다.
Reticle/Mask에 부착된 이물을 Air(또는 N2) Blower와 진공흡인에 의해 자동제거 합니다. 노광전의 루틴 운용으로 매번 이물을 제거하는 것에 의해 마스크의 세정 주기를 연장시키고 운용비를 절감 할 수 있습니다.
Serve nm order의 분석이 가능한 GDS신제품이 출시 되었습니다.
GDS(GD-OES)분석 장치는 신속하고 간단한 표면분석 깊이 방향원소분석 장치로서 도금·열처리·표면처리·코팅등의 연구 개발이나 막 품질 평가에 있어서 폭넓게 활용되어 있습니다. 고주파방식 글로우(glow) 방전을 채용하고 있기 때문에 비전기 전도성 실험자료에서도 표면분석이 가능합니다.
CS-150은, 반도체 세정 공정에 쓰이는 SPM 농도 모니터입니다. 기존 제품과는 차별화 된 고속응답성과 장비의 소형화를 실현. registration박리나 유기물의 제거에 사용되는 SPM용액(H2SO4/H2O2/H2O)의 각 성분농도를 실시간으로 측정하고, 알람기능으로 자동보급하는 타이밍을 알려드립니다. 고속응답, 짧은 측정 주기의 실현으로 농도변화에 대하여도 충실하게 대응하고,또 컴팩트한...
CS-153은, 반도체【WET-ETCHING Process】의 엄격한 니즈에 대응하기 위해서 개발된 고정밀도인 약액농도 모니터입니다. 산화막과 함께 금속불순물을 제거하기 위해서 사용되는 FPM용액(HF/H2O2/H2O)의 각 성분농도를 실시간으로 측정하고, 알람에서 시약교환이나 자동보급하는 타이밍을 알립니다. 이것에 의해 FPM용액의 농도를 허용 범위에 유지하는 동시에 쓸데 없는 시약교환을 없앨 수...
기술의 발전으로 오존수가 반도체 세척 공정과 resist separation공정에서 쓰이고 있습니다. 용존 오존농도모니터OZ-96은 저농도에서부터 고농도까지의 넓은 범위의 측정이 가능합니다.
반도체 디바이스의 고속·고밀도화에 따라, 디바이스 구조의 미세화 뿐만 아니라 재료의 이동에 의한 대응이나 생산성 향상을 목표로 해 300 mm 웨이퍼 프로세스의 도입을 하고 있습니다.이 동향에 따라, 반도체 프로세스에 이용되는“액체 재료”에서도 다양화와 대 유량화가 진행되고 있습니다. 폐사의 액체 재료 기화 시스템은 프로세스에 따라 액체 재료 기화 디바이스(Injection 방식, Baking 방식)와 액체...
세정 시스템과, 내약품성이 우수한 카본 센서 비저항계입니다. 세계최초의 카본센서 비저항계로 기존 GC-96R의 다음 모델입니다. 48/96시리즈의 기종 중 하나로 카본센서 사용으로 다양한 샘플을 측정할 수 있습니다.
공업용 비저항계 HE-480R은 고정밀도 온도보상 기능을 탑재한 비저항계입니다.
반도체분야를 비롯해 전자·식품·의약품등의 분야의 제조공정에서 사용되는 초순수의 연속 모니터링에 최적입니다.
공업용 전도도 측정기 HE-480C는 2전극법을 사용하여 저농도를 측정합니다. 온도 보상 성능이 높고 반도체의 순수관리부터 보일러수의 수질관리까지 폭넓게 사용합니다.
TMAH용 전기전도도계 HE-960TM은, 반도체·액정 프로세스에서 이용할 수 있는 photoresist 현상액의 주성분인 TMAH (Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)용액의 전기 전도도를 고정밀도로 측정합니다.
반도체제조장비의 주요 부품 Mass Flow Controller. 그 성능, 품질은 반도체 품질 자체에 영향을 주는 정도로 중요한 역할을 담당하고 있습니다.그런 엄격한 업계에 있어 고품질로 기능성을 높인 제품을 계속해서 시장에 투입하고, 세계 30%이상을 자랑하고 있는 호리바에스텍이기 때문에 종래의 개념을 깨뜨린 완전히 새로운 종류의 Mass Flow Controller 가 탄생했습니다. 이제까지 가스의...
각종 프로세스의 라인 압력 제어에 최적압력 제어 설정 신호의 입력에 의해 라인 압력의 원격 조정이 가능고성능 압력 센서와 Piezo Valve를 내장UItra Clean 대응의 프로세스 라인에 최적
TEOS를 시작으로 한 액체 재료의 기화 시스템으로, 다수의 납입 실적을 자랑하는 LSC 시리즈에 대유량 발생을 실현시킨 신모델입니다.종래와 같이 캐리어 가스를 이용하지 않고 액체 재료의 안정 기화를 행하는 신형의 LSC-A100 시리즈는, Compact Size면서 대유량 의 기화 발생을 가능하게 한 모델입니다.
반도체 Device의 고속·고밀도화에 따라, 디바이스 구조의 미세화 뿐만 아니라 재료의 치환에 의한 대응이나 생산성 향상을 목표로 300 mm웨이퍼 프로세스의 도입을 하고 있습니다.이 동향에 따라, 반도체 프로세스에 이용되는“액체 재료”에 있어 다양화와 대유량화가 진행되고 있습니다. 폐사의 액체 재료 기화 시스템은 프로세스에 응한 액체 재료 기화 디바이스(인젝션 방식, 베이킹 방식)와 액체 재료 실린더로부터...
액체 재료를 베이킹 시스템(LSC 시리즈), 인젝션 시스템(MI, MV, VC시리즈)에“자동적으로”“안전하게”“헛됨 없게”공급 가능한 액체 재료의 Refill System 입니다.
안전 규격：SEMI S2.S8.S14.CE Marking을 모두 Clear 해, Operate Miss 대책으로서 위험이 수반하는 탱크 교환시의 잔액제거 Sequence의 자동화도 표준 탑재하고 있습니다.또 점검 성의 고효율화를...
웨이퍼의 대구경화, 가공의 미세화가 진행되는 것에 따라, 각 프로세스에 있어서의 웨이퍼위의 가공 균일성은 매우 중요한 요소가 되어 있습니다.특히 플라스마를 이용한 프로세스에 대해서는, 균일성을 높이기 위해서 웨이퍼 이면의 온도 제어를 실시할 필요가 있습니다. GR-300 Series는, 그 온도 제어에 불가결한 헬륨 가스나 아르곤 가스등의 전열성 가스의 압력 제어를 행하기 위한 기기로서 주목 받고...
반도체 Device의 고속·고밀도화에 따라, 디바이스 구조의 미세화 뿐만 아니라 재료의 치환에 의한 대응이나 생산성 향상을 목표로 300 mm웨이퍼 프로세스의 도입을 하고 있습니다.이 동향에 따라, 반도체 프로세스에 이용되는“액체 재료”에 있어 다양화와 대유량화가 진행되고 있습니다. 폐사의 액체 재료 기화 시스템은 프로세스에 응한 액체 재료 기화 디바이스(인젝션 방식, 베이킹 방식)와 액체 재료...
잔류 가스 분석계 MICROPOLE System
잔류 가스 분석계 MICROPOLETMSystem은, 반도체나 액정 Panel, 태양전지등 진공 chamber의 전압 및 잔류하고 있는 가스의 분압을 계측할 수 있는 질량 분석계입니다. 질량 검출부에는 9개의 사중극부로 구성해, 「세계 최소 클래스 사이즈」, 「경량화」, 「고압화」를 실현 하였습니다. 이러한 기술 개발로 설치시 요구되는 스페이스도 작으며,...
두종류의 레이저로, SiN, SiO2, GaAs, InP, AlGaAs, GaN등이 폭넓은 막질에 대응이 가능 합니다.간섭식 실시간 막두께 모니터는 Etching/성장의 프로세스중에 막의두께 및 Etching 깊이를 고정밀도로 검출합니다. 시료 표면에 닿는 단색광은 박막의 두께나 단차에 대한 optical path lengths차이에 의해 간섭을 일으킵니다. 시간에 따라 간섭 강도의 변화를 모니터 하는...
GaN、AlGaN、SiO2、SiN등의 얇고 투명도가 높은 박막 분석에 최적입니다.간섭식 실시간 두께 모니터는 Etching/성막의 프로세스중에 막두께, Etching 깊이를 고정밀도로 검출합니다. 시료 표면에 비춰진 단색광은 박막의 두께나 단차로 인한 optical path lengths차이에 의해 간섭을 일으킵니다. 간섭 강도의 시간 변화를 모니터 하는 것으로, 그 주기에 의해 모니터 장소의...
플라스마를 이용한 반도체 공정에서 End Point의 검출 또는 플라스마의 상태를 관리하기 위한, 발광 분석 방식의 End Point 모니터입니다.신개발된 알고리즘“Rupture Intensity”에 의해 미약한 신호 변화로부터 정확하게 End Point를 검출할 수 있습니다.미약한 신호 변화를 파악할 수 있는, 높은 감도와 노이즈에 강한 내구성으로, 24시간 가동하는 제조 라인의 가혹한 환경에서도 안정된...
분광 위상 변조 Ellipsometer (SPME) UVISEL 는 어떤 기계적인 운동도 없이 편광을 변조하기 위하여 photoelastic 장치를 내장한 system입니다. 위상 변조 기술은 실험적으로 다양성과 성능면에서 중요한 이점을 제공합니다. 전통적인 ellipsometers와 비교해서 UVISEL 분광 ellipsometer는 얇은 박막 Sample과 낮은 인덱스...
