カソードルミネッセンスとは

전자빔 방사선 조사에 의해 시료에서 발생하는 Cathodoluminescence을 이용하여 미세한 영역의 물성 평가, 구조의 관찰, 와이드 간격, 재료 등의 결함 불순 평가 등 다양한 평가가 이루어집니다. 또한 전자 현미경과 결합하여 나노 영역의 미세한 영역의 평가가 가능합니다.


カソードルミネッセンスの主な特長

微小領域での物性評価

電子ビームは容易に10nmから数nmの大きさに絞ることができるため、微小領域の評価に最適です。
また、電子ビームは簡単に操作できるため二次元画像より発光中心の分布を観察することができます。

表面下にある構造の観察

半導体デバイスの動作領域や量子構造の殆どは表面下数十nmから数μmに形成しているため、これらの電子構造を評価するためにはプローブをこの深さまで入れる必要があります。CLでは電子ビームの加速電圧を変えることによってプローブとなる電子正孔対が形成される深さを数十nmから数μmの範囲でかえることができます。このため試料を非破壊で観察ができ、深さ分解の測定も可能です。

ワイドギャップ材料への応用

電子ビームによる励起はバンドギャップよりはるかに大きく、光励起が困難なワイドギャップ材料に適しています。

複合評価

電子ビームは物質中の多様な信号を励起するためそれらの応答を使用した評価方法との複合評価が可能です。


用途