Plasma Process Control
Real Time Interferometric Process Monitor LEM-CT-670-G50

두종류의 레이저로, SiN, SiO2, GaAs, InP, AlGaAs, GaN등이 폭넓은 막질에 대응이 가능 합니다.간섭식 실시간 막두께 모니터는 Etching/성장의 프로세스중에 막의두께 및 Etching 깊이를 고정밀도로 검출합니다. 시료 표면에 닿는 단색광은 박막의 두께나 단차에 대한 optical path lengths차이에 의해 간섭을 일으킵니다. 시간에 따라 간섭 강도의 변화를 모니터 하는...

Real Time Interferometric Process Monitor DIGILEM-CPM-Xe/Halogen

GaN、AlGaN、SiO2、SiN등의 얇고 투명도가 높은 박막 분석에 최적입니다.간섭식 실시간 두께 모니터는 Etching/성막의 프로세스중에 막두께, Etching 깊이를 고정밀도로 검출합니다. 시료 표면에 비춰진 단색광은 박막의 두께나 단차로 인한 optical path lengths차이에 의해 간섭을 일으킵니다. 간섭 강도의 시간 변화를 모니터 하는 것으로, 그 주기에 의해 모니터 장소의...

Optical Emission Spectroscopy Etching End-point Monitor EV-140C

플라스마를 이용한 반도체 공정에서 End Point의 검출 또는 플라스마의 상태를 관리하기 위한, 발광 분석 방식의 End Point 모니터입니다.신개발된 알고리즘“Rupture Intensity”에 의해 미약한 신호 변화로부터 정확하게 End Point를 검출할 수 있습니다.미약한 신호 변화를 파악할 수 있는, 높은 감도와 노이즈에 강한 내구성으로, 24시간 가동하는 제조 라인의 가혹한 환경에서도 안정된...