웨이퍼이면압력제어시스템 GR-300 시리즈

개요

웨이퍼의 대구경화, 가공의 미세화가 진행되는 것에 따라, 각 프로세스에 있어서의 웨이퍼위의 가공 균일성은 매우 중요한 요소가 되어 있습니다.특히 플라스마를 이용한 프로세스에 대해서는, 균일성을 높이기 위해서 웨이퍼 이면의 온도 제어를 실시할 필요가 있습니다.
 GR-300 Series는, 그 온도 제어에 불가결한 헬륨 가스나 아르곤 가스등의 전열성 가스의 압력 제어를 행하기 위한 기기로서 주목 받고 있습니다. GR-300 Series는, 폐사 Mass Flow Controller에 채용되고 있는 고속·고분해 Piezo Valve 와 Mass Flow Sensor를 탑재하고 있어, 정확·안정적으로 미세한 차압 제어를 실시할 뿐만 아니라, 유량계측기능도 가지고 있습니다.또 그 용도로서 트랜스퍼 chamber내의 진공/대기 복귀의 압력 제어나, 원자층 증착(ALD:Atomic Layer Deposition) 프로세스 등에 필요한 재료 가스의 압력 제어용 등 다방면에 걸쳐 제안 합니다.

 

기능

  • 정확·안정공급
    재료 가스 공급 프로세스로 실적 있는 parts, 가스 제어로 축적된 노하우로부터 최적의 미세한 차압 제어 기기가 탄생.
     Mass Flow Controller 로 넓게 채용되고 있는 Mass Flow Sensor 를 탑재해, 재료 가스 공급 프로세스와 동등의 정도로 실유량의 모니터가 가능.
    Mass Flow Controller 와 동등 크기와 ·이음새에 대응하고 있기 때문에 같은 설계 시공이 가능.
    RoHS  대응

시스템 구성 예

웨이퍼 이면 냉각
플라스마 CVD 장치나 에칭 장치등의 플라스마 프로세스중의 웨이퍼 이면부의 온도 제어용으로 사용합니다.웨이퍼를 적재하는 chamber에 헬륨 가스 또는 아르곤 가스등의 전열성 가스의 유로(센터 또는 엣지)를 마련해 각각에 GR-300을 장착하여 정확하게 압력을 제어해, 웨이퍼 이면부의 온도 제어 시스템을 구축할 수 있습니다.또 Mass Flow Sensor 에 의해, 가스 유량을 정확하게 감시합니다.
반송 chamber 내부의 압력 제어
진공 장치에 둘 수 있는 반송 chamber 내부의 압력 제어를 실시합니다.반송 chamber로부터의 웨이퍼의 삽입,반출때의 대기압 복귀 제어나 진공 복귀 후의 내압 제어 등 진공으로부터 대기압의 압력 컨트롤을 실시합니다.
원자층 증착(ALD:Atomic Layer Deposition) 프로세스
ALD 프로세스 전용의 압력 제어 기기로써도 사용 가능하고, 각종 가스에 관해서도 대응합니다. 


제조원 HORIBA STEC

사양

Model

GR-312F

Valve type

Normal close

Leak integrity

5×10-12Pa・m3/sec

Maximum primary pressure

250kPa(A)

Pressure resistance

300kPa(A)

Operating temperature

5°C~50°C
(recommended temperature range: 15~40°C)

Power supply

+15V±5% 150mA
-15V±5% 150mA

Digital interface

RS485 F-Net

Gas

He、Ar

Standard fittings

1/4inch VCR or equivalent

Pressure full scale

13.33kPa(A) (100Torr)

Pressure control range

1~100%

Pressure accuracy

±0.5% F.S.

Pressure rate output signal

0~10VDC

Flow full scale

20、50、100SCCM

Flow accuracy *2

±1.0%R.S.(Flow rate>25%F.S.)
±0.25%F.S.(Flow rate≦25%F.S.)

Flow rate output signal

0~5VDC

Mounting orientation

Free

외형도

Dimensions of GR-300 Series

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