Einkanal-Detektoren

HORIBA Scientific bietet zwei Typen von Einkanal-Detektoren für scannende Spektrometer an: Photomultiplier (PMT) und Halbleiterdetektoren. Für spektrographische Vielkanal-Anwendungen bieten wir eine Reihe von CCD-Detektoren an. Darüber hinaus haben wir Kontroller auf der Basis von Lock-In-Verstärkern im Angebot.

Photomultiplier-Detektoren (PMT)

Photomultiplier bieten im Vergleich zu Halbleiterdetektoren eine deutlich höhere Empfindlichkeit und sind die ideale Wahl für UV/VIS- und NIR-Messungen. Ihr Spektralbereich ist jedoch normalerweise auf maximal etwa 950 nm beschränkt. Photomultiplier benötigen zudem eine Hochspannungs-Stromversorgung.

Die qualitativ hochwertigen Photomultiplier von HORIBA Scientific sind in Gehäusen mit Wasser- oder Luftkühlung erhältlich sowie in einer Frontfenster- oder Seitenfenster-Konfiguration.

Model PMT Type, Cooling & Housing Spectral Range Notes
1911 (F or G) R928 multi-alkali PMT Ambient cooled Side window housing 190-860 nm Requires HV source between 200-1200V
1914 (F or G) R928 multi-alkali PMT Water / TE cooled Side window housing 190-860 nm Requires HV source and can go to 1500V. Use current input or photon counting. Also includes 1630C field lens adapter.

Halbleiterdetektoren

Bei Halbleiterdetektoren handelt es sich um optoelektronische Geräte, die die einfallenden Photonen in elektronische Signale umwandeln. Die in Wellenlängenbereichen von unter 200 nm bis über 20 µm erhältlichen Halbleiterdetektoren zeichnen sich durch hohe Empfindlichkeit, Zuverlässigkeit und Kosteneffizienz aus.

HORIBA Scientific bietet eine umfangreiche Palette an Halbleiterdetektoren an, die für die verschiedensten Anwendungen geeignet sind. Sie sind je nach der gewünschten Empfindlichkeit mit Luftkühlung, thermoelektrischer Kühlung oder Flüssigstickstoffkühlung erhältlich.

Halbleiterdetektoren lassen sich in drei Klassen unterteilen: Photodioden, Photoleitungsdetektoren und Dualdetektoren.

Photodioden zeichnen sich durch hohe Geschwindigkeit und Empfindlichkeit aus und benötigen normalerweise keine Lock-In-Verstärker und Chopper. Ausgenommen hiervon sind Anwendungen mit niedriger Lichtintensität, für die Chopper und Lock-In-Verstärker zu empfehlen sind. Der Spektralbereich reicht nach oben hin bis etwa 5 µm.

Photoleitungsdetektoren sind zwar langsamer und weniger empfindlich, haben jedoch einen größeren Spektralbereich von bis zu 12 µm oder darüber hinaus. Sie benötigen einen Lock-In-Verstärker und Chopper.

Bei Dualdetektoren handelt es sich um Detektoren in Sandwich-Bauweise, die vorne normalerweise aus einem Siliciumdetektor und dahinter aus einem zweiten Detektor bestehen. Das Silicium reicht bis hinauf zu 1,1 µm, wonach es transparent wird, so dass der zweite Detektor benötigt wird. Die Effizienz des Siliciums nimmt um etwa 40 % ab, die Effizienz des zweiten Detektors bleibt jedoch konstant. Dualdetektoren, die aus PbS und PbSe bestehen, brauchen einen Chopper und Lock-In-Verstärker, die auch für die anderen Materialien empfohlen werden.

Zur Gewährleistung maximaler Empfindlichkeit unserer Halbleiterdetektoren bieten wir Infrarot-Detektorgehäuse an, die für alle unsere Einkanal-Detektoren geeignet sind. Das Gehäuse verfügt über einen elliptischen Spiegel, der das Signal in einem Verhältnis von 6:1 auf einen in 90° Stellung angeordneten Strahl konzentriert. Mit Hilfe dieser Spiegeloptik wird das Signal bei allen Wellenlängen auf den Detektor fokussiert.

Photoemissive Detectors

Type Cooling Spectral Range NEP Notes
Silicon (Si) Uncooled 0.2 - 1.1 µm - Unamplified. Large area 10 x 10 mm. NEP determined by analogue input
Germanium (Ge) Uncooled 0.8 - 1.8 µm 7 x 10-13 Preamplified. Requires ±15V
Germanium (Ge) TE Cooled 0.8 - 1.75 µm 5 x 10-14 Preamplified. Requires ±15V
Germanium (Ge) LN cooled 0.8 - 1.5 µm 2.5 x 10-15  
Indium Gallium Arsenide (InGaAs) Uncooled 0.8 - 1.7 µm 6 x 10-14 Preamplified. Requires ±15V
Indium Gallium Arsenide (InGaAs) TE Cooled 0.8 - 1.65 µm 1 x 10-14 Preamplified. Requires ±15V
Indium Gallium Arsenide (InGaAs) LN Cooled 0.8 - 1.6 µm 1 x 10-15 Preamplified. Requires ±15V
Indium Arsenide (InAs) Uncooled 1 - 3.6 µm 2 x 10-10 Preamplified. Requires ±15V
Indium Arsenide (InAs) TE Cooled 1 - 3.55 µm 1 x 10-11 Preamplified. Requires +/-15V

Photoconductive Detectors

Type Cooling Spectral Range NEP Notes
Lead Sulphide (PbS) Uncooled 1 - 3 µm 2 x 10-12 Preamplified. Requires ±15V. Chop speed 100-500Hz
Lead Sulphide (PbS) TE Cooled 1 - 3 µm 1 x 10-12 Preamplified. Requires ±15V. Chop speed 100-500Hz
Lead Selenide (PbSe) TE Cooled 1 - 5 µm 2 x 10-11 Preamplified. Requires +/-15V. Chop speed 1KHz
Mercury Cadmium Telluride (HgCdTe) TE Cooled 1 - 5 µm* 1 x 10-11 Preamplified. Requires ± 15V. Chop speed 1KHz. *Wavelength response can be modified with loss in range.
Mercury Cadmium Telluride (HgCdTe) TE Cooled 1 - 10 µm* 1 x 10-8 Preamplified. Requires ± 15V. Chop speed 2KHz - 10KHz. *Wavelength response can be modified with loss in range.
Mercury Cadmium Telluride (HgCdTe) LN Cooled 1 - 14 µm* 6 x 10-12 Preamplified. Requires ±15V. Chop speed 2KHz - 14KHz. *Wavelength response can be modified with loss in range.
Mercury Cadmium Telluride (HgCdTe) LN Cooled 1 - 20 µm* 2 x 10-11 Preamplified. Requires ±15V. Chop speed 2KHz - 20KHz. *Wavelength response can be modified with loss in range.

Dual Color Detectors

Type Cooling Spectral Range Notes
Si/InGaAs Uncooled 0.3 - 1.7 µm Preamplified. Requires ±15V
Si/InGaAs TE Cooled 0.3 - 1.65 µm Preamplified. Requires ±15V
Si/Ge TE Cooled 0.3 - 1.75 µm Preamplified. Requires ±15V
Si/PbS TE Cooled 0.3 - 3 µm Preamplified. Requires ±15V
Si/PbSe TE Cooled 0.3 - 5 µm Preamplified. Requires ±15V
Si/InAs Uncooled 0.3 - 3.6 µm Preamplified. Requires ±15V
Si/InAs TE Cooled 0.3 - 3.55 µm Preamplified. Requires ±15V

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