Semiconductores

Materiales 2D

El material 2D se define como un material cristalino que consiste en una única capa de celda unitaria de ese material. En particular, el grafeno y los dicalcogenitos de metales de transición (TMDC) están atrayendo la atención como materiales semiconductores de próxima generación. Cuando se utiliza como semiconductor, el análisis estructural preciso es importante porque su estructura cristalina y cristalinidad afectan enormemente al rendimiento.
 

Análisis estructural | Grosor y calidad de la película | Análisis de defectos cristalinos | Detección/Análisis de objetos extraños

Análisis estructural

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Medidas AFM-TERS en un entorno líquido con iluminación/recogida lateral
Medidas AFM-TERS en un entorno líquido con iluminación/recogida lateral
Esta nota de aplicación revela los detalles instrumentales clave para tener éxito en TERS mediciones en líquidos utilizando la geometría de iluminación/recogida lateral. Esta capacidad busca lograr avances en muchas aplicaciones como la catálisis heterogénea, la electroquímica, la biología celular y los biomateriales. En esta nota, se demuestra la imagen química a nanoescala de escamas de óxido de grafeno y nanotubos de carbono sumergidos en agua con una resolución TERS hasta 20 nm, junto con imágenes reales sin contacto AFM.
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TERS Caracterización de nanocintas de grafeno
TERS Caracterización de nanocintas de grafeno
Esta nota de aplicación informa sobre la nanocaracterización TERS de nanocintas de grafeno (GNRs) fabricadas mediante litografía por haz de electrones. La nanoresolución química alcanzable por TERS revela la presencia de carbono amorfo en el borde de los GNRs y localiza residuos orgánicos. TERS puede considerarse una herramienta valiosa para caracterizar grafeno con nanopatrones, un paso esencial para el desarrollo de nanodispositivos basados en grafeno.
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TERS correlacionado y KPFM de las escamas de óxido de grafeno
TERS correlacionado y KPFM de las escamas de óxido de grafeno
AFM-Raman y su modo TERS se utilizan para mostrar el mapeo superficial a nanoescala de defectos estructurales y grupos químicos en escamas de óxido de grafeno (GO) con resolución espacial de 10 nm. La metodología de medición multiparámetro propuesta en esta nota amplía la capacidad de TERS permitiendo una correlación directa de la composición química local y las propiedades físicas a nanoescala, no solo para materiales 2D sino para casi cualquier superficie de muestra.
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Una escama de MoS2: la imagen de desplazamiento TEPL derivada del ajuste del pico PL mediante análisis de regresión.
Caracterización de las escamas de MoS2 usando TEOS
Tanto las imágenes TEPL como TERS están bien correlacionadas con imágenes morfológicas AFM obtenidas simultáneamente, y todas son consistentes en revelar la naturaleza (número de capas) de las escamas de MoS2. Al desconvolución, la señal TEPL incluso es capaz de revelar inhomogeneidades locales dentro de una lámina MoS2 de tamaño 100 nm. La medición con sonda Kelvin soporta mediciones TEPL y TERS y añade potencia a estas herramientas combinativas mejoradas con puntas.
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Caracterización de nanotubos de carbono mediante espectroscopía Raman mejorada por punta (TERS)
Caracterización de nanotubos de carbono mediante espectroscopía Raman mejorada por punta (TERS)
El uso de TERS para revelar la densidad de defectos en la estructura de los CNTs es de interés para comprender mejor las propiedades eléctricas de los dispositivos fabricados con tales nano-objetos. No sólo se pueden estudiar los defectos en la concentración, sino también los cambios locales en la quiralidad de los diferentes modos de respiración radiales, el efecto de presión y la distribución de la deformación a nivel de nanotubos de carbono únicos a través de TERS.
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Caracterización de lantánidos en gafas para aplicaciones ópticas
Los cristales son materiales esenciales con múltiples usos y formas. En el ámbito de la optoelectrónica existe interés en modificar la composición del vidrio para favorecer la incorporación de elementos de lantánidos. Sus propiedades de estabilidad y luminiscencia ofrecen la oportunidad de fabricar materiales ópticos, como amplificadores de banda ancha, láseres y dispositivos ópticos no lineales. Un área principal de interés es la de las telecomunicaciones.

Grosor y calidad de la película

En el avance de la tecnología de películas delgadas mediante la miniaturización, proponemos soluciones para lograr un alto control de deposición de películas, como la evaluación in situ durante el proceso de deposición de la película y la evaluación de películas delgadas a nivel de orden Ångström.


Información de membrana obtenida mediante un elipsómetro espectroscópico

Análisis de defectos cristalinos

Reducir defectos y controlar con precisión las impurezas se ha vuelto cada vez más importante en dispositivos semiconductores para la comunicación de alta velocidad. Presentaremos casos de análisis que ilustren esto.

Detección/Análisis de objetos extraños

Los defectos en las obleas también pueden ser causados por materia extraña, y introduciremos un método de análisis elemental microscópico para identificar la causa de los defectos.

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