GDOES proporciona tanto el perfil de superficie/profundidad como la composición elemental global de materiales sólidos y capas.
Como sugiere el acrónimo, GDOES combina una descarga luminosa (GD) con un espectrómetro de emisión óptica (OES). Esta es una técnica analítica que proporciona tanto el perfil de superficie/profundidad como la composición elemental global de materiales sólidos y capas, de forma rápida y con alta sensibilidad a todos los elementos.
GDOES es una técnica analítica que proporciona tanto el perfil superficie/profundidad como la composición elemental global de materiales sólidos y capas.
Esta es una técnica analítica que proporciona tanto el perfil de superficie/profundidad como la composición elemental global de materiales sólidos y capas, de forma rápida y con alta sensibilidad a todos los elementos.
La técnica de diabetes glástica es destructiva. Tras el análisis se forma un cráter en la muestra.
La operación implica la pulverización controlada de un área representativa de la muestra que se analizará mediante el plasma GD y la observación simultánea de la OES de la especie pulverizada. La técnica de diabetes glástica es destructiva. Tras el análisis se forma un cráter en la muestra.
La técnica es extremadamente rápida y la resolución de profundidad puede ser excelente (nivel nm) si la muestra está plana sobre la zona pulverizada.
Las "descargas luminosas" son fuentes de plasma de baja presión que se encuentran en muchos dominios, desde pantallas de plasma de televisión hasta fuentes de luz.
La mayoría de los recubrimientos utilizados en la industria microelectrónica se depositan utilizando estos plasmas. También se aplican plasmas para la descontaminación de superficies. El ajuste de las trayectorias de los satélites se realiza mediante propulsores alimentados por plasmas.
Sorprendentemente, nuestro GDOES proviene de un entorno muy diferente, concretamente el ámbito de la química analítica en la industria metalúrgica. Cuando W. Grimm propuso la primera fuente GD en 1968, su idea era conectarla a un Espectrómetro de Emisión Óptica (OES) y contar con una fuente de luz superior, en comparación con su fuente estándar de chispa, para el análisis elemental de aleaciones de cu.
Pronto, un grupo de investigadores que trabajaba con R. Berneron en el IRSID en Francia se dio cuenta del potencial de esta nueva combinación para la exploración de placas de acero galvanizadas y sobre películas pasivas en el análisis del perfil elemental de profundidad de películas gruesas y delgadas por GDOES. Durante muchos años, la técnica se desarrolló principalmente en la industria del acero, aunque los primeros perfiles de profundidad publicados con GDOES (1970) fueron de películas delgadas de GaAs.
Por GDOES de RF pulsado, nos referimos al instrumento de GD más reciente y completo. En este instrumento, el plasma GD sigue combinándose con ópticas de alta resolución, pero la alimentación del plasma se realiza mediante RF pulsada.
Con el RF pulsado, GDOES no solo se ha ampliado drásticamente el rango de aplicaciones de la GD, sino que también se ha simplificado la tarea para obtener perfiles de profundidad cuantitativos. Por ejemplo, una calibración única puede realizarse usando un material multicapa que contiene capas conductoras y aislantes.
Sample es un componente electrónico hecho de latón recubierto con NiP y con una capa superior dorada. Un cráter de 4 mm ha sido erosionado por el proceso de GD. Tiempo total de análisis: 2 minutos.
El GDOES de RF pulsado proporciona un análisis químico elemental rápido de materiales sólidos en función de la profundidad.
Se pueden medir todos los elementos, incluyendo C, H, N, Cl, O, Na, Li, etc.
El GDOES de RF pulsado no mide isótopos, salvo posiblemente deuterio (D, isótopo de H). El GDOES de RF pulsado no mide moléculas (como sí lo hace RAMAN), aunque a veces se pueden observar algunas "bandas moleculares" en el plasma y proporcionan información indirecta sobre el material estudiado.
El GDOES de RF pulsado se basa en la erosión controlada de una parte representativa del material (pocos mm de diámetro de cráter) por el plasma y da la distribución elemental en función de la profundidad de penetración.
La velocidad del análisis GDOES por RF pulsado permite realizar múltiples mediciones en diferentes ubicaciones de una muestra para evaluar la repetibilidad.
Los GDOES de RF pulsados responden en minutos a múltiples preguntas como:
Superposición de 5 mediciones sobre un Al anodizado con capa delta de Cr.
La velocidad del análisis permite realizar múltiples mediciones en diferentes ubicaciones de una muestra para evaluar la repetibilidad.
La GD RF pulsada es el método de análisis más avanzado y versátil que permite medir todo tipo de materiales hechos de películas finas y gruesas (conductoras y aislantes).
Ya sea que compongas materiales o controles una producción, el GDOES de RF pulsado es una herramienta rápida, fiable y sensible para obtener perfilado de profundidad elemental y te da resultados en minutos que te permitirán:
El GDOES de RF pulsado es un método de análisis destructivo. El resultado del sputtering del material es un orificio normalmente circular y plano con el diámetro del ánodo. Llamamos a este agujero el cráter.
El GDOES de RF pulsado es un método de análisis destructivo. El resultado del sputtering del material es un orificio normalmente circular y plano con el diámetro del ánodo. Llamamos a este agujero el cráter.
