Semi-conducteurs

Film de carbone

Les nanomatériaux de carbone (diamant, graphène, nanotubes de carbone, etc.) présentent d'excellentes propriétés électriques, telles qu'une grande mobilité électronique et une forte tolérance à une forte densité de courant. Ils présentent également une conductivité thermique et une résistance mécanique élevées, ce qui en fait des matériaux prometteurs pour les futurs dispositifs électroniques et une avancée majeure. HORIBA apporte sa technologie de mesure pour la mesure de l'épaisseur des films et l'analyse des défauts des nanomatériaux de carbone.

Épaisseur et qualité du film | Analyse des contraintes | Analyse élémentaire | Détection/analyse de corps étrangers

Épaisseur et qualité des films

Avec les progrès de la technologie des couches minces liés à la miniaturisation, nous proposons des solutions permettant un contrôle avancé du dépôt des couches, telles que l'évaluation in situ pendant le procédé de dépôt et l'évaluation de films minces à l'échelle de l'ångström.

Analyse de l'épaisseur et de la qualité des films ultra-minces : analyse de films SiO₂ d'ordre Å à l'aide d'un ellipsomètre spectroscopique
Analyse de la qualité du film d'oxyde de silicium : évolution de la qualité du film au sein d'un même type de film à l'aide d'un ellipsomètre spectroscopique
Analyse de films minces en milieu liquide : analyse à l'aide d'une cellule de mesure liquide pour ellipsomètre spectroscopique.
Évaluation in situ des couches minces : analyse de wafers en chambre par intégration de composants analytiques dans la chambre de dépôt.

Informations sur les films obtenues à l'aide d'un ellipsomètre spectroscopique

Carbon nanotubes (CNTs) are thin, light, and flexible string-like materials with a minimum diameter of less than 1 nm that are composed entirely of carbon atoms. Because of their high electrical conductivity, thermal conductivity, and heat resistance, CNTs are being developed for a variety of applications as next-generation materials. On the other hand, CNTs easily aggregate, so it is essential to understand and control the state of aggregation in order to achieve the expected performance.

Analyse des contraintes

Nous proposons une solution d'évaluation des contraintes multidimensionnelle utilisant un spectromètre Raman doté d'un nombre d'ondes et d'une résolution spatiale élevés, ainsi que d'une cathodoluminescence (CL).

Imagerie des contraintes des structures microfabriquées en silicium : analyse de la distribution des contraintes à l'aide d'images Raman
Analyse des contraintes du SiGe : analyse des contraintes à haute résolution spatiale par AFM-Raman

Analyse élémentaire

The concentration of oxygen in silicon wafers has a significant impact on their electrical resistance. Therefore, it is crucial to control the concentration of oxygen, even in extremely small amounts, in silicon wafers. However, a challenge arises when analyzing highly doped single crystals. Due to their unique properties and high doping levels, the analysis of oxygen in these samples becomes more difficult. The presence of impurities and dopants can interfere with the accurate measurement of oxygen concentration using FT-IR spectroscopy.

Polysilicon, the raw material for silicon wafers, requires strict control of carbon content, which affects its conductivity. As higher purity silicon wafers are required, it is important to understand the amount of carbon contained in polysilicon supplied as a material. However, some carbon is present as carbonate and some is attached as CO2, making it very difficult to distinguish between them and analyze the extremely small amount of carbon.

Détection et analyse des contaminants

Les défauts présents sur les wafers peuvent également être causés par des contaminants. Nous présentons une méthode de microanalyse élémentaire permettant d'identifier l'origine de ces défauts.