利用拉曼光谱监测 4H-SiC 的亚表面应力

拉曼光谱是材料科学中不可或缺的分析技术，可实现对晶体结构、成分和机械应力的高灵敏度非破坏、非接触测量。碳化硅（SiC）等宽带隙半导体广泛应用于高功率和高温电子器件，应力会显著影响载流子输运、器件性能和长期可靠性，因此对其进行理解、监测和控制至关重要。本文介绍了如何利用拉曼光谱，在表面加工过程中对 4H‑SiC 基底的近表面/亚表面应力进行有效监测与评估。