GDOES fournit à la fois le profil de surface/profondeur et la composition élémentaire en vrac des matériaux solides et des couches.
Comme son acronyme l'indique, la GDOES combine une décharge luminescente (GD) avec un spectromètre d'émission optique (OES). Cette technique d'analyse fournit rapidement le profil de surface/profondeur et la composition élémentaire globale des matériaux et couches solides, avec une grande sensibilité à tous les éléments.
GDOES est une technique analytique qui fournit à la fois le profil de surface/profondeur et la composition élémentaire en vrac des matériaux solides et des couches.
Il s'agit d'une technique analytique qui fournit à la fois le profil de surface/profondeur et la composition élémentaire globale des matériaux solides et des couches rapidement et avec une grande sensibilité à tous les éléments.
La technique GD est destructive. Un cratère est créé dans l'échantillon après analyse.
L'opération consiste à pulvériser de manière contrôlée une zone représentative de l'échantillon à analyser par le plasma GD et à observer simultanément les espèces pulvérisées par spectroscopie optique. La technique GD est destructive. Un cratère est creusé dans l'échantillon après analyse.
La technique est extrêmement rapide et la résolution en profondeur peut être excellente (au niveau du nm) si l'échantillon est plat sur la zone pulvérisée.
Les « décharges luminescentes » sont des sources de plasma à basse pression que l’on retrouve dans de nombreux domaines, des écrans plasma de télévision aux sources lumineuses.
La plupart des revêtements utilisés dans l'industrie microélectronique sont déposés grâce à ces plasmas. Les plasmas sont également utilisés pour la décontamination des surfaces. L'ajustement des trajectoires des satellites est assuré par des propulseurs alimentés par des plasmas.
Étonnamment, notre GDOES provient d'un domaine très différent, celui de la chimie analytique dans l'industrie métallurgique. Lorsque W. Grimm a proposé la première source GD en 1968, son idée était de la connecter à un spectromètre d'émission optique (OES) et de disposer d'une source lumineuse supérieure à celle de son spectromètre à étincelles standard, pour l'analyse élémentaire des alliages de cuivre.
Bientôt, un groupe de chercheurs travaillant avec R. Berneron à l'IRSID (France) a compris le potentiel de cette nouvelle combinaison pour l'exploration des plaques d'acier galvanisé et des films passifs sur l'acier, en analysant les profils de profondeur élémentaires des films épais et minces par GDOES. Pendant de nombreuses années, cette technique s'est principalement développée dans l'industrie sidérurgique, bien que les premiers profils de profondeur publiés avec GDOES (1970) concernaient des films minces de GaAs.
Par GDOES RF pulsée, nous entendons l'instrument GD le plus récent et le plus complet. Dans cet instrument, le plasma GD est toujours associé à une optique haute résolution, mais son alimentation est assurée par une puissance RF pulsée.
Grâce à la technologie GDOES RF pulsée, non seulement le champ d'application de la GD a été considérablement élargi, mais l'obtention de profils de profondeur quantitatifs a également été simplifiée. Par exemple, un étalonnage unique peut être réalisé à l'aide d'un matériau multicouche contenant des couches conductrices et isolantes.
L'échantillon est un composant électronique en laiton recouvert de NiP et doté d'une couche de finition dorée. Un cratère de 4 mm a été érodé par le procédé GD. Durée totale de l'analyse : 2 minutes.
Le GDOES RF pulsée permet une analyse chimique élémentaire rapide des matériaux solides en fonction de la profondeur.
Tous les éléments peuvent être mesurés, y compris C, H, N, Cl, O, Na, Li, etc.
La spectroscopie GDOES RF pulsée ne mesure pas les isotopes, sauf peut-être le deutérium (D, isotope de H). Contrairement à la spectroscopie RAMAN, la spectroscopie GDOES RF pulsée ne mesure pas les molécules, bien que certaines « bandes moléculaires » soient parfois visibles dans le plasma et fournissent des informations indirectes sur le matériau étudié.
La méthode GDOES RF pulsé s'appuie sur l'érosion contrôlée d'une partie représentative du matériau (diamètre du cratère de quelques mm) par le plasma et donne la distribution élémentaire en fonction de la profondeur de pénétration.
La vitesse de l'analyse GDOES RF pulsé permet d'effectuer plusieurs mesures à différents endroits d'un échantillon pour évaluer la répétabilité.
Le GDOES RF pulsé répondra en quelques minutes à plusieurs questions telles que :
Superposition de 5 mesures sur une couche d'Al anodisé avec delta de Cr.
La rapidité d'analyse permet d'effectuer plusieurs mesures à différents endroits d'un échantillon pour évaluer la répétabilité.
La GD RF pulsé est la méthode d'analyse la plus avancée et la plus polyvalente qui permet de mesurer tous les types de matériaux constitués de films minces et épais (conducteurs et isolants).
Que vous composiez des matériaux ou contrôliez une production, la GDOES RF pulsé est un outil rapide, fiable et sensible pour obtenir un profilage en profondeur élémentaire et vous donne des résultats en quelques minutes qui vous permettront de :
La méthode d'analyse destructive GDOES RF pulsé est une méthode d'analyse destructive. La pulvérisation cathodique du matériau produit un trou généralement circulaire et plat, du diamètre de l'anode. Ce trou est appelé cratère.
La méthode d'analyse destructive GDOES RF pulsé est une méthode d'analyse destructive. La pulvérisation cathodique du matériau produit un trou généralement circulaire et plat, du diamètre de l'anode. Ce trou est appelé cratère.
