Aplicações

Elipsometria espectroscópica de semicondutores compostos: heteroestruturas AlxGa1-xN / GaN

Os nitretos do grupo III e suas ligas são os materiais mais promissores para dispositivos optoeletrônicos de comprimento de onda curto, como LEDs, lasers de injeção, fotodetectores, displays coloridos e dispositivos eletrônicos como HFETs, HEMTs, etc.

Para o projeto e otimização desses dispositivos, é essencial um conhecimento detalhado tanto da espessura da camada quanto das propriedades ópticas. A elipsometria espectroscópica é um método de caracterização óptica não destrutivo que permite a determinação desses parâmetros de material necessários.

A elipsometria espectroscópica por modulação de cristal líquido é uma excelente técnica para a caracterização de alta precisão da heteroestrutura semicondutora composta AlGaN/GaN. Utilizando o elipsômetro espectroscópico MM-16, é possível determinar a espessura do filme e as dispersões ópticas da estrutura completa de forma simples, mesmo quando o filme possui vários micrômetros de espessura.

O conhecimento detalhado dos parâmetros ópticos das ligas de AlGaN é crucial, por exemplo, para o projeto de dispositivos optoeletrônicos. Além disso, a partir dos parâmetros ópticos, uma curva de calibração pode ser construída para fornecer uma determinação rápida e eficiente do teor de Al nas camadas de AlGaN. Assim, a elipsometria espectroscópica também se mostra uma técnica não destrutiva para a determinação da composição da liga de AlGaN. Este método pode ser igualmente aplicado a outros semicondutores compostos, como SiGe, semicondutores II-VI ou semicondutores III-V clássicos.