This application note demonstrates the use of pulsed RF GD-OES for nanometric depth profiling of (Al,Ga)N quantum wells and quantum dots. The technique supports process optimization and quality control of layer thickness and composition in advanced UV optoelectronic structures.

Emerging display technologies demand high brightness, low power consumption and longer lifetime. Arrays, of self-emitting, micron-sized LEDs or Micro-LED (µLED), are considered a strong contender to replace current OLED or LCD displays.

This application note demonstrates how deep-UV optimized HORIBA multimodal SMS can be applied to characterize PVT-grown 4H-SiC substrates, as well as epitaxial 4H-SiC structures.

Raman spectroscopy is an essential tool for the characterization of semiconductors. However, Raman spectroscopy's spatial resolution is limited by the diffraction limit to about 200-300 nanometers, which can be insufficient for analyzing the increasingly smaller features of modern electronic devices.

拉曼光谱可对4H-SiC半导体进行非破坏性应力分析。本研究展示了拉曼光谱峰位移可以区分不同表面处理工艺（如切割、研磨和CMP抛光）之间的差异，可用于电子学领域的工艺优化与质量控制。

胶体二氧化硅被用于非常精确的抛光，对它的粒度控制有着极高的要求。离心式粒度分析仪可以方便地进行高分辨率和重复性的测量，有助于CMP浆料的研发和质量控制。

碳纳米管(CNTs)是一种完全由碳原子组成的薄、轻、柔性的弦状材料。CNTs容易聚集，因此了解和控制其聚集状态是达到预期性能的关键。为此，需要一种能够快速评估从孤立分散到聚集的宽粒径分布(PSD)的高分辨率分析方法。 本文使用 Partica CENTRIFUGE 离心式纳米粒度分析仪，对三家公司的四种碳纳米管进行了测量。表明了分析仪的颗粒表征能力，将有助于碳纳米管的性能评估和质量控制。

硅片中氧的浓度对硅片的电阻有很大影响。因此，即使硅片中仅含有极少量的氧，对其浓度的控制也是至关重要的。然而，在分析高掺杂单晶硅时出现了一个挑战，由于其独特的性质和高掺杂水平，分析这些样品中的氧变得非常困难，杂质和掺杂剂的存在会干扰使用 FT-IR 光谱法对氧浓度的精确测量。

微观金属颗粒的快速分析是工程领域的重要应用（例如发动机磨损分析）。特定碎片的显微XRF扫描和点分析可以获得它们的化学成分。