Semiconductores

Película de Carbono

El material de nanocarbono (diamante, grafeno, nanotubos de carbono, etc.) tiene excelentes propiedades eléctricas, como una alta movilidad electrónica y tolerancia a una alta densidad de corriente. También tienen alta conductividad térmica y resistencia mecánica, por lo que son materiales prometedores para futuros dispositivos electrónicos que supongan un avance. HORIBA aporta su tecnología de medición para la medición del espesor de la película y el análisis de defectos en materiales de nanocarbono.

Grosor y calidad de la película | Análisis de tensiones | Análisis elemental | Detección/Análisis de objetos extraños

Grosor y calidad de la película

En el avance de la tecnología de películas delgadas mediante la miniaturización, proponemos soluciones para lograr un alto control de deposición de películas, como la evaluación in situ durante el proceso de deposición de la película y la evaluación de películas delgadas a nivel de orden Ångström.

Análisis del grosor y la calidad de la película en películas ultrafinas: Análisis de película _{SiO 2} de película fina de orden Å usando elipsómetro espectroscópico
Análisis de calidad de película de óxido de silicio: cambios en la calidad de la película dentro del mismo tipo de película usando un elipsómetro espectroscópico
Análisis de película delgada en líquido: Análisis utilizando una celda de medición líquida con elipsómetro espectroscópico
Evaluación in situ de película delgada: Análisis de obleas en cámara incorporando piezas analíticas en la cámara

Información de membrana obtenida mediante un elipsómetro espectroscópico

Los nanotubos de carbono (CNTs) son materiales finos, ligeros y flexibles similares a cuerdas, con un diámetro mínimo inferior a 1 nm, compuestos íntegramente por átomos de carbono. Debido a su alta conductividad eléctrica, conductividad térmica y resistencia al calor, los CNT se están desarrollando para una variedad de aplicaciones como materiales de próxima generación. Por otro lado, las CNTs se agregan fácilmente, por lo que es esencial entender y controlar el estado de la agregación para alcanzar el rendimiento esperado.

Análisis de tensiones

Proponemos una solución multifacética de evaluación de tensiones utilizando un espectrómetro Raman que presume de alta resolución de onda y espacial, junto con catodoluminiscencia (CL).

Imagen de tensiones de estructuras microfabricadas de silicio: análisis de distribución de tensiones utilizando imágenes Raman
Análisis de tensiones de SiGe: Análisis de esfuerzos de alta resolución espacial utilizando AFM Raman

Análisis Elemental

La concentración de osígeno en las obleas de silicio tiene un impacto significativo en su resistencia eléctrica. Por ello, es crucial controlar la concentración de oxígeno, incluso en cantidades extremadamente pequeñas, en las obleas de silicio. Sin embargo, surge un desafío al analizar monocristales altamente dopados. Debido a sus propiedades únicas y altos niveles de dopaje, el análisis del osígeno en estas muestras se vuelve más difícil. La presencia de impurezas y dopantes puede interferir con la medición precisa de la concentración de ogen mediante espectroscopía FT-IR.

El polisilicio, materia prima para las obleas de silicio, requiere un control estricto del contenido de carbono, lo que afecta a su conductividad. Como se requieren obleas de silicio de mayor pureza, es importante entender la cantidad de carbono contenida en el polisilicio suministrado como material. Sin embargo, hay parte de carbono presente como carbonato y parte unido como CO2, lo que dificulta mucho distinguirlos y analizar la cantidad extremadamente pequeña de carbono.

Detección/Análisis de objetos extraños

Los defectos en las obleas también pueden ser causados por materia extraña, y introduciremos un método de análisis elemental microscópico para identificar la causa de los defectos.