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Caracterização de wafers III-V por meio de mapeamento de fotoluminescência

Semicondutores III-V são importantes para a fabricação de dispositivos fotônicos ativos, como fontes de luz e detectores. O sucesso na fabricação desses dispositivos depende da alta qualidade dos materiais subjacentes e da deposição precisa das geometrias desejadas em um substrato de wafer. Materiais defeituosos e imperfeições nas geometrias afetam negativamente o rendimento e geralmente aumentam os custos e os prazos de desenvolvimento. Os custos e atrasos são ainda maiores quando esses defeitos, seja no material ou na geometria do dispositivo, não são detectados no início do ciclo de desenvolvimento.

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