
A tecnologia de Polimento Químico-Mecânico (CMP) é utilizada como uma tecnologia fundamental indispensável no processo de fabricação de circuitos integrados semicondutores de ultra-grande escala (ULSI). O CMP é uma técnica na qual a superfície de um substrato é amolecida, removida ou aplainada por meio de ataque químico e abrasão friccional com uma pasta química contendo partículas abrasivas. As partículas abrasivas de sílica pirogênica são sintetizadas em uma reação em fase gasosa em chama e dispersas como partículas secundárias, que são agregados de partículas primárias. Sabe-se que elas possuem propriedades tiógenas. Embora a taxa de polimento seja alta para a sílica pirogênica, sua precisão de polimento é inferior à da sílica coloidal.
Analisador de nanopartículas por centrifugação
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