Os semicondutores compostos permitem a produção de dispositivos de potência avançados e dispositivos fotônicos ativos, como fontes de luz e detectores. A fabricação bem-sucedida desses dispositivos depende da alta qualidade dos materiais subjacentes (SiC, AlGaN, GaN, GaAs, InGaAs etc.) e da deposição precisa das geometrias desejadas em um substrato de wafer.

Defeitos em materiais, como imperfeições geométricas, afetam negativamente o rendimento e geralmente aumentam o custo e o tempo de desenvolvimento de dispositivos semicondutores compostos.