Aplicações

Fotoluminescência de alta resolução e baixa temperatura de semicondutores

Introdução

A espectroscopia de fotoluminescência (PL) dependente da temperatura é um método óptico poderoso para caracterizar materiais. A PL pode ser usada para identificar defeitos e impurezas em semicondutores de silício e III-V, bem como para determinar a largura da banda proibida dos semicondutores. À temperatura ambiente, a emissão de PL geralmente é ampla, com até 100 nm de largura. Quando as amostras são resfriadas, detalhes estruturais podem ser resolvidos; um pequeno deslocamento espectral entre duas amostras pode representar uma diferença na estrutura. Para o resfriamento, dois tipos de criostato são tipicamente usados: um criostato que utiliza nitrogênio líquido ou hélio líquido, ou um criostato de ciclo fechado no qual o líquido criogênico é incluído como parte do sistema de resfriamento. A amostra resfriada é excitada por um laser e a PL é acoplada a um espectrômetro por meio de uma interface óptica. Nesta Nota Técnica, são apresentados dados de amostra obtidos com um sistema de PL de alta resolução.