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Avaliação de defeitos em wafers epitaxiais de GaN por CL

A densidade de defeitos pode ser avaliada a partir da imagem de intensidade obtida pela medição de catodoluminescência (CL).

O cristal pode parecer uniforme na imagem SEM, mas o ponto escuro, como a deslocação de rosca, pode ser observado ao medir a imagem de intensidade CL no comprimento de onda (362nm) que corresponde à emissão da borda da banda.

A ocorrência de discordâncias de rosca é comum em cristais de GaN crescidos sobre substratos de safira. Acredita-se que isso seja causado pela grande diferença de parâmetros de rede entre a safira e o GaN.

O cristal pode parecer uniforme na imagem SEM, mas o ponto escuro, como a deslocação de rosca, pode ser observado ao medir a imagem de intensidade CL no comprimento de onda (362nm) que corresponde à emissão da borda da banda.

A densidade de defeitos, como a de discordâncias de rosca, pode ser avaliada a partir da imagem de intensidade obtida pela medição de catodoluminescência (CL).

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