Os elementos do grupo IV (Si, Ge) têm sido historicamente utilizados na indústria de semicondutores, especialmente na fabricação de estruturas planas e, mais recentemente, tridimensionais (3D) (FinFET, Nanosheet FET, Gate-all-Around FET). Os processos de fabricação estão se tornando cada vez mais complexos, e essa complexidade impulsiona uma evolução na caracterização, fornecendo informações abrangentes sobre as propriedades dos materiais (medições de tensão, cristalinidade, extração de fases), permitindo a estabilização do processo na fase de P&D.