Análise quantitativa de oxigênio em wafers de silício

A concentração de oxigênio em wafers de silício tem um impacto significativo em sua resistência elétrica. Portanto, é crucial controlar a concentração de oxigênio, mesmo em quantidades extremamente pequenas, nesses wafers. No entanto, surge um desafio ao analisar monocristais altamente dopados. Devido às suas propriedades únicas e altos níveis de dopagem, a análise de oxigênio nessas amostras torna-se mais difícil. A presença de impurezas e dopantes pode interferir na medição precisa da concentração de oxigênio usando espectroscopia FT-IR.