LG-100 Series

レーザーガス分析計

LG-100 Seriesは、半導体製造におけるエッチングプロセスから発生するSiF4(四フッ化ケイ素)の分圧※1変化をリアルタイムに測定することができます。この変化量から、エッチングが規定の深さ(エンドポイント※2)まで到達しているかどうかの判別が可能となります。アンダーエッチングおよびオーバーエッチングのリスクを軽減し、半導体製造プロセスの生産性や歩留まり向上に貢献します。

本製品には、2021年に開発したHORIBA独自の赤外ガス分析技術である「IRLAM(アーラム)TM」を搭載し、ppbレベルの微量なガスを高感度かつ高速(0.1秒)に測定することを実現しました。最先端のロジック半導体量産化に向けて必要とされる、GAAトランジスタ構造や高アスペクト比のコンタクトホール形成といった高度技術におけるエンドポイント判別に寄与します。


※1 混合気体に含まれる気体ごとの圧力
※2 回路を形成する際、ウェハを削る深さの終点。エッチング工程では歩留まり向上のため、エンドポイントを最適な箇所に設定することが必要とされています

事業セグメント: 半導体
製品分類: Dry Process Control
製造会社: HORIBA STEC, Co., Ltd.
  • エッチングプロセスの排ガス成分を高感度・高速に測定

  • 測定対象ガスの分圧指示値の変化からエンドポイントを検出可能

  • 非プラズマプロセスでも適用可能

  • 独自の赤外ガス分析技術「IRLAM」の搭載により、高感度かつ高速なリアルタイム測定を実現

エッチングによって発生するSiF4の分圧変化をリアルタイムに測定します。このSiF4の変化量からエンドポイントの判別が可能となりました。IRLAMの搭載により、発生する微量なガスをダイレクトに測定し、ppbレベルの微量なガスを0.1秒という高速で測定することが実現されました。これにより、アンダーエッチング・オーバーエッチングのリスクを軽減し、歩留まり向上に寄与します。


IRLAM技術の詳細はこちら

*IRLAM(アーラム)は、株式会社堀場製作所の登録商標または商標です
 

  • 機能向上に向けた開発と最先端プロセスへの対応

エッチングによって生成される排ガス成分の測定により、エッチングプロセス中の現象を確認できます。本製品は、進化を続ける半導体製造プロセスに貢献するため、測定ガス対象の多成分化や、応答速度の向上など、機能拡張にも継続して取り組んでいます。最先端のロジック半導体では、GAAトランジスタ構造や、高アスペクト比のコンタクトホールの形成におけるプロセス制御を実現するために、より高度なセンシング技術が必要とされています。本製品の投入を通じて、こうした最先端半導体製造プロセスにおける生産性の向上に貢献します。

 

LG-100 Series 仕様一覧

 

外形寸法図・他 (単位:mm)

LG-100 Series 外形寸法図

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