レーザーガス分析計
LG-100 Seriesは、半導体製造におけるエッチングプロセスから発生するSiF4(四フッ化ケイ素)の分圧※1変化をリアルタイムに測定することができます。この変化量から、エッチングが規定の深さ(エンドポイント※2)まで到達しているかどうかの判別が可能となります。アンダーエッチングおよびオーバーエッチングのリスクを軽減し、半導体製造プロセスの生産性や歩留まり向上に貢献します。
本製品には、2021年に開発したHORIBA独自の赤外ガス分析技術である「IRLAM(アーラム)TM」を搭載し、ppbレベルの微量なガスを高感度かつ高速(0.1秒)に測定することを実現しました。最先端のロジック半導体量産化に向けて必要とされる、GAAトランジスタ構造や高アスペクト比のコンタクトホール形成といった高度技術におけるエンドポイント判別に寄与します。
※1 混合気体に含まれる気体ごとの圧力
※2 回路を形成する際、ウェハを削る深さの終点。エッチング工程では歩留まり向上のため、エンドポイントを最適な箇所に設定することが必要とされています