LabRAM Odyssey Semiconductor

LabRAM Odyssey Semiconductor

Cartographie Raman et Photoluminescence de wafers

Le microscope LabRAM Odyssey Semiconductor est l'outil idéal pour réaliser des cartographies photoluminescence et Raman sur des wafers (jusqu’à 300 mm de diamètre) et ainsi évaluer leur uniformité et analyser les défauts. Ce microscope confocal, qui est l'un des best-sellers d'HORIBA, est équipé d'un plateau à échantillons automatisé de 300 mm et d'une tourelle d'objectifs automatisée.

Segment: Scientific
Fabricant: HORIBA France SAS

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Le LabRAM Odyssey Semiconductor présente des éléments matériels et logiciels conçus pour l'analyse des semi-conducteurs :

  • Cartographie de wafers avec tourelle et plateau à échantillons automatisés
    La plateau à échantillons XY automatisé de 300 mm x 300 mm est compatible avec les wafers de 300 mm de diamètre maximum pour la cartographie Raman et par photoluminescence de wafers entiers et de régions d'intérêt (ROI). La vitesse de déplacement et la stabilité du plateau garantissent des mesures rapides et fiables sur des ROI réparties sur la surface du wafer.
     
  • Mesure d'uniformité avec correction de l'inclinaison du wafer
    La fonction autofocus « Tilt at midway » corrige l'inclinaison et la courbure du wafer, ce qui permet d'obtenir des données précises d'uniformité de l'ensemble du wafer, même pour les couches minces. Cette fonction est rapide, car elle détermine la hauteur de mise au point optimale en cinq points seulement avant la cartographie : au centre et en quatre points à mi-chemin entre le centre et quatre coins.
     
  • De la cartographie complète du wafer à la cartographie haute résolution des défauts avec DuoScan™
    La technologie d'imagerie confocale DuoScan™ est un mode d'imagerie confocale qui combine des capacités de balayage laser de macro-points de taille variable (à l'aide de miroirs de balayage ultra rapides) et de balayage par pas submicronique de haute précision. Le balayage de macro-points est adapté à la cartographie de wafers complets, tandis que le balayage par pas submicroniques est utilisé pour l'analyse des défauts.
     
  • Métrologie PL et Raman dans un seul outil
    La disponibilité de nombreux lasers d'excitation et la large gamme spectrale du système, de l'UV profond au proche IR, permettent de mesurer simultanément les signaux de photoluminescence et Raman dans le même spectre. La combinaison des techniques PL et Raman dans un même outil accélère considérablement la caractérisation des wafers.
     
  • « Methods » : créez votre méthode d'acquisition pour une caractérisation ultra efficace
    « Methods » vous permettra d'automatiser entièrement votre routine de caractérisation Raman/PL (acquisition, traitement des données, affichage et analyse) pour les techniciens en métrologie et ainsi augmenter votre taux de rendement.
    La création d'une méthode est un processus simple et intuitif : l'ingénieur en procédés ou en métrologie peut optimiser chaque opération et l'insérer en un clic dans la méthode. Il peut facilement réorganiser, ajouter ou supprimer des opérations individuelles.
    Ce module de personnalisation fait également appel à des « modèles » (Templates) qui permettent de sauvegarder et de rappeler un ensemble de configurations matérielles et d'options logicielles.
     
  • ParticleFinder PF3 : caractérisation automatisée des particules
    PF3 permet une localisation et une caractérisation chimique rapides des contaminants sur un wafer complet.
    PF3 localise automatiquement les particules de contamination et en dresse la cartographie Raman. De plus, il identifie et classe automatiquement toutes les impuretés détectées en fonction de leurs caractéristiques chimiques (organiques, silicium, etc.) et fournit des statistiques sur les propriétés morphologiques (surface, périmètre, diamètre, circularité, luminosité, estimation du volume, etc.).
     

Dimensions

l × H × P (mm): 1400 × 620 × 1410

Microscope optique

Microscope en espace ouvert avec éclairage par réflexion de la lumière blanche, caméra, objectifs 5×, 10×, 100× de série. Tourelle d'objectifs motorisée en option.

Gamme spectrale

Gamme 200 nm-2200 nm standard, de l'échantillon au détecteur (achromatique, aucun changement d'optique nécessaire).

Spectromètre d'imagerie

  • Longueur focale : 800 mm.
  • Résolution spectrale (largeur totale à mi-hauteur) à la longueur d'onde d'excitation de 532 nm ≤ 0,6 cm-1 avec 1 800 t/mm et ≤ 0,3 cm-1 avec 3 000 t/mm.
  • Stabilité spectrale RMS : < 0,02 cm-1 RMS, mesure sur la ligne Si 520 cm-1.
  • Équipé d'un capteur CCD à électrodes ouvertes (de série), d'un capteur EMCCD en option et d'un détecteur InGaAs en option (3 détecteurs maximum).

Résolution spatiale

Résolution latérale XY < 0,5 µm ; résolution axiale Z < 1,5 µm.

Plateau motorisé 300 mm × 300 mm

Plateau motorisé XY à codeurs de haute précision (X = 300 mm, Y = 300 mm) avec répétabilité ≤1 µm ; précision = 1 µm ; résolution (codeur) = 50 nm ; taille de pas minimale du moteur = 10 nm.
Spécifications en Z : résolution (taille de pas minimale) = 0,01 µm.
Supports pour wafers de 4" (100 mm), 6" (150 mm), 8" (200 mm) et 12" (300 mm) disponibles. Porte-wafers compatible avec le fonctionnement sous vide.

Lasers

Sélectionnables par l'utilisateur : 266 nm, 325 nm, 355 nm, 405 nm, 458 nm, 473 nm, 532 nm, 633 nm, 660 nm, 785 nm, & 1064 nm. Jusqu'à 6 lasers motorisés.

DuoScan™

Technologie DuoScan™ pour un balayage laser rapide et l'imagerie des macro-points (dimensions standard des macro-points 30 µm × 30 µm avec un objectif 50×).

2D Materials
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The two-dimensional graphene and transition metal dichalcogenides materials are on their way to become the core of the future electronics devices. Controlling layer numbers and crystallinity at the wafer scale remains the main challenge.
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The historically established group IV materials keep being the essential component of integrated circuits through more and more complex architectures (three dimensional: FinFET, Nanosheet FET, Gate-all-Around FET).
Compound Semiconductors
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Compound semiconductors including III-V, III-N materials and SiC are being growingly employed owing to their superior material properties over silicon semiconductors and their role in optimizing the energy efficiency of devices.

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