GD-Profiler 2™ マーカス型高周波グロー放電発光表面分析装置（GDS）

迅速表面分析が可能！
非導電性材料の表面分析も可能！
パルススパッタ（特許）により低ダメージ・高分解能測定が可能！
顕微鏡観察用の前処理・エッチング機としても活用可能！
バルク分析（固体材料の定量分析）も可能！

膜厚同時計測
- DiP（Differential Interferometry Profiling）差動干渉プロファイリング機構
  元素プロファイルと深さ情報を同時に計測します。非測定部と測定部の位相差情報から、高精度な深さ情報が得られます。

非平面試料測定
- 非平面試料ホルダ
  平面試料だけでなく、非平面部分の表面分析ができます。棒状、切削工具、ネジ、ベアリングなどの非平面・湾曲した試料向け治具のカスタマイズもご相談を承っています。

大気非暴露測定
- トランスファーベッセル
  試料を大気から遮断してrf-GD-OES 分析を行う際に使用します。大気との遮断部分は、O リング・逆止弁付バルブ・スライド式窓などから構成されています。

微小試料測定

スモールサンプルキット	微小試料用埋込キット
微小試料をダイレクトに測定するためのキット。	微小試料を埋込処理して測定するためのキット。

半定量測定
- 半定量キット
  標準試料セットと全検出器の感度自動調節により、簡易に半定量分析が行えます。

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次の機関ではrf-GD-OESを使って有償受託分析事業を展開しています。

発光部
ランプ型式	マーカス型
試料印加方式	13.56MHz高周波
高周波出力	0-300W（可変）
パルス制御	〈周波数〉1〜100Hz（可変）〈Duty〉5〜50%（可変）
ガス圧力	0〜1000Pa（可変）
アノード径	〈標準〉4mm〈オプション〉1mm、2mm、7mm
クリーニング機構	モータ制御式自動クリーナ

検出部
検出器	光電子増倍管
分析線	〈メイン分光器〉標準20本＋追加25本（オプション）
分析線	〈サブ分光器〉1本
分析元素	H〜Uまでただし、メイン分光器に導入する元素は、別途お打ち合わせが必要となります。
データ取込間隔	最高0.001sec〜
シンクロ測光	パルススパッタ適応時のみ（オプション）

分光部
	ポリクロメータ（メイン分光器）〈標準装備〉	モノクロメータ（サブ分光器）〈標準装備〉	フラットフィールド・ポリクロメータ〈オプション〉
マウント型式	パッシェンルンゲ	ツェルニターナ	ポリクロメータ内組込み型
焦点距離	500mm	640mm
回折格子	ブレーズドホログラフィック凹面グレーティング（刻線密度： 2400本/mm）	ブレーズドホログラフィック平面グレーティング（刻線密度： 2400本/mmもしくは3600本/mmも）	ホログラフィックグレーティング（刻線密度： 1200本/mm）
波長範囲	110〜620nm	165〜780nmもしくは165〜500nm	400〜900nm
実質分解能		0.013〜0.018nm

ソフトウェア
方式	日本語対話方式 Quantum XP

ユーティリティ
本体装置質量		550kg
本体外形寸法		860（W）×1521（D）×1200（Ｈ）mm
ユーティリティ	電源	〈本体用〉単相AC 200V 30A 〈制御PC用〉単相AC 100V 10A
	周波数	50/60Hz
	ガス	〈スパッタ用ガス〉Ar　　　純度： 99.9999%以上、圧力： 0.4MPa 〈シリンダ駆動用ガス〉N2もしくはエア　　　純度：問わず、圧力： 0.7MPa 〈パージ用ガス〉N2　　　純度： 99.999%以上（O2＜3ppm）　　圧力： 0.2MPa
	設置環境	〈温度〉22〜24±2℃ 〈湿度〉60%以下

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